用以制造半导体装置之化学气相沉积设备的喷头

摘要

一种用以制造半导体装置之化学气相沈积（CVD，ChemicalVaporDeposition）设备的喷头，包含一气体供应管；一具有一底板的喷头本体，该喷头本体连接至该气体供应管，该底板具有复数个穿透该底板之第一注入孔与第二注入孔，其中该第一注入孔之入口直径小于该第一注入孔之出口直径，该第二注入孔之入口直径大于该第二注入孔之出口直径，且该第二注入孔与该第一注入孔交替地配置。