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发明名称
具保护层之半导体晶片及其制造方法
摘要
在半导体晶片的覆晶装设中:为保护免于机械应力或损害及为进行电绝缘,一种保护层(7)被施用于该半导体晶片(2)的后侧。此保护层亦可存在于该半导体晶片的侧面(8)。该保护层可在整体组装方法顺序开始前或仅当固定该半导体晶片倒置于载体1时施用。
申请公布号
TW200305263
申请公布日期
2003.10.16
申请号
TW092104462
申请日期
2003.03.03
申请人
亿恒科技股份公司
发明人
埃里尼 海涅曼;于尔根 菲舍尔;伊达 马尔巴赫 施巴赫;福尔克尔 拜尔
分类号
H01L23/31
主分类号
H01L23/31
代理机构
代理人
蔡清福
主权项
地址
德国
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