| 摘要 |
本发明系关于一种在半导体装置中形成金属互连层的方法，藉由该方法可透过电极电镀法连续地在具极高长宽比的双金属镶嵌图样、通道孔或沟渠中填充无空洞的金属膜。为达此目的，该方法包括下面的步骤：在半导体基板上形成一下方导体层；在该已经形成下方导体层的半导体基板上形成一层间绝缘膜；选择性地蚀刻该层间绝缘膜以形成一特定形状的开孔，透过该开孔可曝露出该下方导体层；沿着已经形成的具特定形状的开孔的梯状构造形成一金属晶种层；藉由一雷射制程回流该金属晶种层以形成一厚度均匀的金属晶种层；对该金属晶种层执行氢气还原退火制程；以及藉由电极电镀法在该金属晶种层之上形成一金属膜。 |
