Plasmaätzen von Ir und PZT unter Verwendung einer Hartmaske und einer chemischen Zusammensetzung aus CL¶2¶/N¶2¶/O¶2¶ und CL¶2¶/CHF¶3¶/O¶2¶

摘要

Bei den Verfahren zum Ätzen von PZT und/oder Bilden eines ferroelektrischen Kondensators mit Ir/IrOx-Elektroden und einer PZT-ferroelektrischen-Schicht wird eine titanhaltige Hartmaske, ein Chlor-/Sauerstoff-basiertes Plasma und ein heißes Substrat, das typischerweise etwa 350 DEG C mißt, verwendet. Die Prozesse fügen eine fluorhaltige Verbindung wie CHF¶3¶ zum Chlor-/Sauerstoff-basierten Plasma zum Ätzen der PZT-Schicht hinzu und fügen Stickstoff hinzu, um die Seitenwandprofile zu verbessern, wenn die Ir-Schichten geätzt werden. Die Chlor-/Sauerstoff-basierten Plasmen liefern eine gute Selektivität bei hohen Ätzraten für die Ir- und PZT-Schichten und niedrige Ätzraten für die Hartmaske.