发明名称 Chemisch-mechanisches Poliergerät und Verfahren zur Steuerung desselben
摘要 Bei einem chemisch-mechanischen Poliergerät und einem Verfahren zur Steuerung desselben wird eine Tabelle einer Anfangsdicke einer Schicht, die poliert werden soll, mit Berücksichtigung einer detektierten Lichtmenge eines Endpunktdetektionsteiles in Einklang mit einer Polierprozeßrezeptur der zu polierenden Schicht vorbereitet. Die Polierprozeßrezeptur für die Schicht wird eingespeist und es wird eine von der Schicht reflektierte Lichtmenge unter Verwendung des Endpunktdetektionsteiles detektiert, wobei Licht auf einen Halbleiterwafer projiziert wird. Eine Dicke der Schicht wird vor dem Polierprozeß anhand des Detektionssignals mit der detektierten Lichtmenge unter Benutzung der Tabelle für die Anfangsdichte der Schicht, welche die detektierte Lichtmenge betrifft, berechnet. Es wird anhand der berechneten Dicke eine Polierzeit vor dem Polierprozeß zum Erreichen einer gewünschten Dicke berechnet. Es wird durch Abwärtszählen der berechneten Polierzeit ein Endpunkt detektiert, während die zu polierende Schicht poliert wird. Dann wird der Polierprozeß angehalten, wenn der Endpunkt detektiert wurde. Eine exakte Steuerung eines Polierendpunktes kann in einfacher Weise dadurch erreicht werden, indem ein Programm zu einem Controller eines CMP Gerätes hinzugefügt wird und es können die Bedingungen und der Wirkungsgrad des Betriebes verbessert werden.
申请公布号 DE10311362(A1) 申请公布日期 2003.10.16
申请号 DE2003111362 申请日期 2003.03.14
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KIM, KYOUNG-WOO;YANG, YU-SIN
分类号 B24B49/02;B24B37/013;B24B37/04;B24B49/12;B24D7/12;G01B11/06;H01L21/304;(IPC1-7):B24B37/04 主分类号 B24B49/02
代理机构 代理人
主权项
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