| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一下层的铝配线(22)对形成在层间隔离层(23)中的通孔(24)暴露，以及在淀积通过通孔(24)连接至下层的铝配线(22)的一上部铝配线(30)之前，执行除气处理，其中除气是在等于或者小于在层间隔离层(23)时的最大的基片温度的一基片温度下执行的，所以由于热应力造成的小丘和触须不会发生在下层的铝配线(22)上。 | ||
| 申请公布号 | CN1124648C | 申请公布日期 | 2003.10.15 |
| 申请号 | CN99125090.7 | 申请日期 | 1999.11.26 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 山本悦章 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，其中包括步骤：a)在一半导体基片(20)上方形成一下层的金属配线(22；32)；b)在所述半导体基片(20)被加热到在最大值的第一温度的情况下，用一层间隔离层(23；33)覆盖所述下层的金属配线(22；32)；c)在所述层间隔离层(23；33)中形成一通孔(24；37)；d)执行一除气从所述层间隔离层(23；33)中除去污染物；以及e)形成穿过所述通孔(24；37)并与下层金属配线连接的一上部金属配线(30；38)，并且所述上层金属配线是从包括铝和铝合金的组中选择的一种导电的材料构成的，其特征在于所述除气是在所述半导体基片(20)被加热到等于或者小于所述第一温度的一第二温度的情况之下执行的。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||