| 发明名称 | 半导体存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种可以提高数据保持特性的非易失性半导体存储装置及其制造方法。在存储元件的上层，具备包含以下群中的至少1个以上的层：添加有氮的硅氧化膜；添加有Al的硅氧化膜；Al的氧化物；添加有Ti的硅氧化膜；添加有氮和Al和Ti这3种中的2种的硅氧化膜；添加有氮和Al和Ti这3种的硅氧化膜；Ti的氧化物；Ti和Al的氧化物；由Ti、Ni、Co、Zr、Cu、Pt、V、Mg、U、Nd、La、Sc金属群中之一种组成的单体金属层；由包含这些金属群中2个以上的金属占全体的至少50％以上的二元以上的合金组成的层；由该合金的氮化物组成的层；或者由该合金的氢化物组成的层(例如Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>膜10)。 | ||
| 申请公布号 | CN1449044A | 申请公布日期 | 2003.10.15 |
| 申请号 | CN03106687.9 | 申请日期 | 2003.02.28 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 角田弘昭;小林英行;姬野嘉朗;柴克育;福原成太 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L21/768 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，其特征在于：在存储元件的上层上具备包含以下群中的至少1个以上的层：添加有氮的硅氧化膜；添加有Al的硅氧化膜；Al的氧化物；添加有Ti的硅氧化膜；添加有氮和Al和Ti这3种中的2种的硅氧化膜；添加有氮和Al和Ti这3种的硅氧化膜；Ti的氧化物；Ti和Al的氧化物；由Ti、Ni、Co、Zr、Cu、Pt、V、Mg、U、Nd、La、Sc金属群中之一种组成的单体金属层；由包含这些金属群中2种以上的金属占全体的至少50％以上的二元以上的合金组成的层；由该合金的氮化物组成的层；或者由该合金的氢化物组成的层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||