| 主权项 |
1.一种半导体制造装置用晶圆保持体,其特征在于:包含导体层,与用以夹住该导体层之陶瓷基材;且上述导体层具有与陶瓷基材之晶圆保持面成面对面之本体部分,及为与外部相连接而从该本体部分引出之引出部分,上述本体部分与引出部分实质上系布局在同一平面上。2.如申请专利范围第1项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之陶瓷基材之材料系由选自由氮化铝、氮化矽、氧氮化铝、及氧化铝所构成群中一种以上构成。3.如申请专利范围第2项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之陶瓷基材之导热系数为100 W/mK以上。4.如申请专利范围第1项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中在导电层与陶瓷基材之间具有中介层,该中介层之材料系至少包含热膨胀系数为310-6/℃以上810-6/℃以下之玻璃及热膨胀系数为310-6/℃以上610-6/℃以下之非氧化物陶瓷片中任一种。5.如申请专利范围第4项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之非氧化物陶瓷系包含50质量%以上之氮化铝或氮化矽。6.如申请专利范围第4项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之中介层之材料系包含镱、钕、及钙的氧化物,或包含经予加热即会产生包含镱、钕、及钙的氧化物之化合物。7.如申请专利范围第4项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之中介层之材料系包含钇与铝的氧化物,或包含经予加热即会产生包含钇与铝的氧化物之化合物。8.如申请专利范围第1项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中在陶瓷基材中形成用以布置温度检测部之穴部。9.如申请专利范围第1项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中一对陶瓷基材各具有用以夹住本体部分之晶圆保持部,与从晶圆保持部侧面延伸且用以夹住引出部分之侧板部,且侧板部宽度系比晶圆保持部之宽度为小。10.如申请专利范围第1项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之导电层系形成为至少其本体部分之材料系由选自由W、Mo、Ag、Pd、Pt、Ni、及Cr所构成群中一种以上构成。11.如申请专利范围第1项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之导电层为加热器、电浆产生用电极及静电夹头用电极中任一种。12.如申请专利范围第1项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中全体之厚度为5mm以下。13.如申请专利范围第12项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之导体层系金属线。14.如申请专利范围第1项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中在夹住引出部分之一对陶瓷基材之侧板部布局O形环。15.如申请专利范围第1项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中在用以夹住引出部分之一对陶瓷基材中至少一方之侧板部,设有绝热用之颈部。16.如申请专利范围第9项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中左面侧板部之一对陶瓷基材所夹住区域,形成加热器之本体部分。17.一种半导体制造装置,其特征在于内装了申请专利范围第1项所记述之半导体制造装置用晶圆保持体。18.如申请专利范围第17项之半导体制造装置,其用途系选自蚀刻装置、CVD装置、以及电浆CVD装置。19.一种半导体制造装置用晶圆保持体,其特征在于包含:陶瓷基材,形成在该陶瓷基材上之导电层,以及用以被覆该导电层之保护层;且上述导电层系具有与陶瓷基材之晶圆保持面成面对面之本体部分,以及为与外部相连接而从本体部分引出之引出部分,且本体部分与引出部分实质上系布局在同一平面上。20.如申请专利范围第19项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之陶瓷基材之材料系由选自由氮化铝、氮化矽、氧氮化铝、及氧化铝所构成群中一种以上构成。21.如申请专利范围第20项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之陶瓷基材之导热系数为100 W/mK以上。22.如申请专利范围第19项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之保护层之材料系至少包含热膨胀系数为310-6/℃以上810-6/℃以下之玻璃及热膨胀系数为310-6/℃以上610-6/℃以下之非氧化物陶瓷片中任一种。23.如申请专利范围第22项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之非氧化物陶瓷系包含50质量%以上之氮化铝或氮化矽。24.如申请专利范围第22项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之保护层之材料系包含镱、钕、及钙的氧化物,或包含经予加热即会产生包含镱、钕、及钙的氧化物之化合物。25.如申请专利范围第22项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之保护层之材料系包含钇与铝的氧化物,或包含经予加热即会产生包含钇与铝的氧化物之化合物。26.如申请专利范围第19项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中在陶瓷基材中形成用以布置温度检测部之穴部。27.如申请专利范围第19项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之导电层系形成为至少其本体部分之材料系由选自由W、Mo、Ag、Pd、Pt、Ni、及Cr所构成群中一种以上构成。28.如申请专利范围第19项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之导电层为加热器、电浆产生用电极及静电夹头用电极中任一种。29.如申请专利范围第19项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中全体之厚度为5mm以下。30.如申请专利范围第29项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之导电层系金属线。31.如申请专利范围第19项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中陶瓷基材与保护层之各具有用以夹住本体部分之晶圆保持部,与从晶圆保持部侧面延伸且用以夹住引出部分之侧板部,且侧板部宽度系比晶圆保持部之宽度为小。32.如申请专利范围第19项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中在夹住引出部分之陶瓷基材与保护层之侧板部布局O形环。33.如申请专利范围第19项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中在用以夹住引出部分之陶瓷基材与保护层中至少一方之侧板部,设有绝热用之颈部。34.如申请专利范围第31项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中在由侧板部之陶瓷基材与保护层所夹住区域,形成加热器之本体部分。35.一种半导体制造装置,其特征在于内装了申请专利范围第19项所记述之半导体制造装置用晶圆保持体。36.如申请专利范围第35项之半导体制造装置,其用途系选自蚀刻装置、CVD装置、以及电浆CVD装置。图式简单说明:图1系概略显示本发明一实施形态之具有晶圆保持体的半导体制造装置之构成剖面图。图2系沿图1之200-200线之概略剖面图。图3系概略显示本发明一实施形态之晶圆保持体之构成斜视图。图4系概略显示本发明一实施形态之晶圆保持体之构成俯视图。图5系沿图4之500-500线之概略剖面图。图6系由图5之朝箭头600所指的方向所看的静电夹头用电极之俯视图。图7系由图5之朝箭头700所指的方向所看的电浆产生用下部电极之俯视图。图8系由图5之朝箭头800所指的方向所看的加热器之概略俯视图。图9系由图5之朝箭头900所指的方向所看的热电偶插入用沟槽之俯视图。图10系用以说明晶圆保持体之其他支撑方法之剖面图。图11系显示导电层为两层时之晶圆保持体之构成概略剖面图。图12系显示导电层为单层时之晶圆保持体之构成概略剖面图。图13系用以说明侧板部端面系呈一个面之概略剖面图。图14系显示玻璃层系仅形成在图案间之构成概略剖面图。图15系显示加热器之发热部系形成至侧板部之构成俯视图。图16系用以说明晶圆保持部系具有多角形状之斜视图。图17系显示使用本发明一实施形态之晶圆保持体的半导体制造装置之其他例子概略剖面图。图18系显示保护层覆盖了导电层上的情况之剖面图。图19系显示传统晶圆保持体之构成概略剖面图。 |
