| 主权项 |
1.一种于低温制程中形成多晶态氧化铟锡薄膜之制造方法,是于低温下,在一基板之一侧表面被覆一层非晶态氧化铟锡薄膜期间,同时以紫外线照射该非晶态氧化铟锡薄膜,而形成多晶态氧化铟锡薄膜。2.依据申请专利范围第1项所述于低温制程中形成多晶态氧化铟锡薄膜之制造方法,其中,该低温是低于100℃。3.依据申请专利范围第1项所述于低温制程中形成多晶态氧化铟锡薄膜之制造方法,其中,该基板是选自聚酯、聚碳酸酯、丙烯系树脂之一所制成的板材。4.一种于低温制程中形成多晶态氧化铟锡薄膜之制造装置,适合用来在一基板之一侧面上被覆形成一层多晶态氧化铟锡薄膜,该制造装置包含有:一成膜机构,具有一用来构成真空室之真空容器内,及一设置在该真空容器内并可受激发之靶材,该靶材是由铟锡氧化物制成,并可在低温下受激发时使表面物质飞出而沉积在基板表面,以形成非晶态氧化铟锡薄膜;及一能量供应单元,具有至少一用来发出紫外线之能量供应元件,该能量供应元件是设置在该成膜单元之真空容室内,且其发出之紫外线在该靶材形成非晶态氧化铟锡薄膜的同时,是投射在该非晶态氧化铟锡薄膜上;藉此,非晶态氧化铟锡薄膜在吸收紫外线能量后,变成多晶态氧化铟锡薄膜。5.一种于低温制程中形成多晶态氧化铟锡薄膜之制造方法,是先于低温下,在一基板之一侧表面被覆一层非晶态氧化铟锡薄膜后,再将该氧化铟锡薄膜经由紫外线照射,而形成多晶态氧化铟锡薄膜。6.依据申请专利范围第5项所述于低温制程中形成多晶态氧化铟锡薄膜之制造方法,其中,该低温是低于100℃。7.依据申请专利范围第5项所述于低温制程中形成多晶态氧化铟锡薄膜之制造方法,其中,该基板是选自聚酯、聚碳酸酯、丙烯系树脂之一所制成的板材。8.一种用来使非晶态氧化铟锡薄膜形成多晶态氧化铟锡薄膜之制造装置,适合用来将一基板之一侧面上于低温下所被覆之一层非晶态氧化铟锡薄膜,变成多晶态氧化铟锡薄膜,该制造装置包含有:一底板,其一顶面中央部位,可供放置所述基板,且所述基板放置在该底板上时,是以其非晶态薄膜之一面朝上;一载台,是可位移地设置在该底板上,且该载台是间隔地位在所述基板上方;及一能量供应单元,具有一可发出紫外线之能量供应元件,该能量供应元件是固定设置在该载台上,且其紫外线是往下投射在所述基板上,而在随着该载台位移期间,使所述基板之非晶态氧化铟锡薄膜各部位,逐渐受到该能量供应元件之紫外线照射,而变成多晶态氧化铟锡薄膜。图式简单说明:第一图是一于低温制程中形成多晶态氧化铟锡薄膜之制造装置的简略构造示意图,说明本发明之制造方法的一第一较佳实施例;第二图是该第一较佳实施例之一非晶态ITO薄膜经紫外线照射后之片电阻变化量;第三图是该第一较佳实施例中该受紫外线照射后之ITO薄膜再经120℃回火过程后之片电阻变化量;及第四图是一用来使非晶态氧化铟锡薄膜形成多晶态氧化铟锡薄膜之制造装置的简略立体示意图,说明本发明之制造方法的一第二较佳实施例。 |
