| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在同一衬底上具有不同驱动电压的高压晶体管和低压晶体管的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括：(a)在第一导电型的半导体衬底10的特定区域内，导入第二导电型的杂质，形成第一势阱20；(b)在半导体衬底10的特定区域内，导入第二导电型的杂质，形成与第一势阱20杂质浓度不同的第二势阱30；以及(c)在第一势阱20的特定区域内，导入第一导电型的杂质，形成第三势阱50。 | ||
| 申请公布号 | CN1447418A | 申请公布日期 | 2003.10.08 |
| 申请号 | CN03120827.4 | 申请日期 | 2003.03.20 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 林正浩 |
| 分类号 | H01L21/82 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括：(a)在第一导电型的半导体衬底的特定区域内，导入第二导电型的杂质，形成第一势阱；(b)在所述半导体衬底的特定区域内，导入第二导电型的杂质，形成与所述第一势阱杂质浓度不同的第二势阱；以及(c)在所述第一势阱的特定区域内，导入所述第一导电型的杂质，形成第三势阱。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||