| 发明名称 | 半导体器件和采用该半导体器件的半导体存储器 | ||
| 摘要 | 一单元晶体管(TC)包括被形成在一个比它的沟道区低的层次上的源/漏区(BL)。一选择晶体管(STE)具有被形成在与该单元晶体管(TC)的源/漏区(BL)基本相同的层次上的沟道区和源/漏区。单元晶体管(TC)的源/漏区(BL)其中之一与选择晶体管(STE)的源/漏区其中之一被在基本上相同的平面上彼此电气互连。 | ||
| 申请公布号 | CN1447436A | 申请公布日期 | 2003.10.08 |
| 申请号 | CN03128647.X | 申请日期 | 2003.03.27 |
| 申请人 | 伊诺太科株式会社 | 发明人 | 三井田高 |
| 分类号 | H01L27/105;H01L27/115 | 主分类号 | H01L27/105 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一晶体管(TC)，其在比该第一晶体管(TC)的沟道区部分低的一个层次上形成有源/漏区(BL1，BL2)；第二晶体管(STE，STO)，其在与该第一晶体管(TC)的源/漏区(BL1，BL2)基本相同的一个层次上形成有沟道区和源/漏区；其中该第一晶体管(TC)的所述源/漏区(BL1，BL2)之一与该第二晶体管(STE，STO)的所述源/漏区之一在一个基本相同的平面上被相互电连接。 | ||
| 地址 | 日本横浜市 | ||