| 发明名称 | 减少半导体制造中的黑硅 | ||
| 摘要 | 黑硅的减少是通过在形成硬腐蚀掩模之前在晶片的轮缘部分和侧面提供保护器件层实现的。 | ||
| 申请公布号 | CN1123914C | 申请公布日期 | 2003.10.08 |
| 申请号 | CN99103446.5 | 申请日期 | 1999.03.11 |
| 申请人 | 西门子公司;国际商业机器公司 | 发明人 | 王廷浩;彭登青;D·M·多布岑斯凯;R·S·维瑟 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王忠忠 |
| 主权项 | 1、一种用于制造半导体器件的方法，包括适用于减少黑硅的形成的工艺，所述方法包括下列步骤：在晶片的表面形成保形掩膜层；构图掩膜层以从基本芯片区域有选择地去掉掩膜层，留下至少保持在轮缘部分的掩膜层；在基本芯片区域中形成基底叠层，该基底叠层包括基底氧化物层和基底停止层；和形成附加硬掩膜层，该硬掩膜层至少覆盖基底叠层和轮缘部分上的掩膜层。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||