| 发明名称 | 具有高选择比的平坦化方法 | ||
| 摘要 | 一种具有高选择比的平坦化方法，用于半导体晶圆的平坦化制程，该半导体晶圆具有一硬罩幕，一停止层设于该硬罩幕层上，及一阻障层设于该停止层上；该平坦化方法首先对该阻障层实施一第一化学机械研磨制程，使其暴露出该停止层，而后再去除该停止层；其中，该阻障层对该停止层具有一研磨选择比大于50；由于本发明于硬罩幕与阻障层间设有一停止层，并且由于该停止层的材质与该阻障层差异极大，因此可以避免知制程中该硬罩幕因研磨选择比过低而损失过多的问题，该半导体晶圆的表面可达到高度平坦化的效果；且制程余裕也随之得以大幅增加，进而有效地控制该半导体晶圆的品质。 | ||
| 申请公布号 | CN1447393A | 申请公布日期 | 2003.10.08 |
| 申请号 | CN02156453.1 | 申请日期 | 2002.12.16 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 胡绍中;陈学忠;许仕勋;许嘉麟 |
| 分类号 | H01L21/304;H01L21/768;H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/304 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 1.一种半导体晶圆的平坦化方法，其特征是：该半导体晶圆包含有一硬罩幕，一停止层设于该硬罩幕层上，及一阻障层设于该停止层上，该平坦化方法包含有下列步骤：对该阻障层实施一第一化学机械研磨制程，使其暴露出该停止层；及去除该停止层；其中该阻障层对该停止层具有一研磨选择比大于50。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||