| 摘要 |
Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (S1), die eine bewegliche Einheit (20) aufweist, umfaßt einen Schritt, ein SOI-Substrat (10) zu bilden, das ein Halbleitersubstrat (11), eine isolierende Schicht (13) und eine Halbleiterschicht (12) umfaßt. Das Verfahren umfaßt weiter einen Schritt des trockenen Ätzens der Halbleiterschicht (12), um einen Einschnitt (14, 14a, 14b) auszubilden, und einen Schritt des trockenen Ätzens einer seitlichen Wand, die den Einschnitt (14, 14a, 14b) definiert, an einem Bereich, der einem Boden des Einschnittes (14, 14a, 14b) benachbart ist, um die bewegliche Einheit (20) auszubilden. Das letztere trockene Ätzen wird durchgeführt, wobei sich eine Ladung auf einer Oberfläche der isolierenden Schicht (13) aufbaut, die während dem ersteren trockenen Ätzen freigelegt wird, um den Bereich zu ätzen. Zusätzlich wird das letztere trockene Ätzen bei einer höheren Ätzrate durchgeführt als diejenige, bei der das erstere trockene Ätzen durchgeführt wird, um den Betrag an Ablagerung eines Schutzfilms während des letzteren trockenen Ätzens zu reduzieren, der auf einer rückwärtigen Seite der beweglichen Einheit (20) abgelagert wird.
|
