| 主权项 |
1.一种保护高频率积体电路(1)不受高于正常操作电压之电压影响之配置,其中高频率积体电路连接到结合区(2)之输入/输出端上,其特征为此一配置包括一半导体变阻器(3),其与积体电路(1),一起整合到结合区(2)与输入/输出端之间,该半导体变阻器(3)对于该正常操作电压,具有低与实质上为常数的电阻,而对于该较高电压,则具有较高之电阻。2.根据申请专利范围第1项之配置,其特征为对于该正常操作电压,电阻实质上为常数。3.根据申请专利范围第1项之配置,其特征为变阻器(3)与结合区(2)之互连点,被连接到主电流分流装置(4,5)。4.根据申请专利范围第3项之配置,其特征为主电流分流装置包括一个二极体(4)与一个二极体(5),其中二极体(4)之阳极与变阻器(3)与结合区(2)之间的互连点连接,其阴极连接到正电压(VA),而二极体(5)之阴极则连接到变阻器(3)与结合区(2)之间的互连点,其阳极接地(GND)。5.根据申请专利范围第1项之配置,其特征为变阻器(3)与积体电路(1)之互连点,被连接到次电流分流装置(6,7)。6.根据申请专利范围第5项之配置,其特征为次电流分流装置包括一个二极体(6)与一个二极体(7),其中二极体之阳极与变阻器(3)与放大器(1)之间的互连点连接,其阴极连接到正电压(VA),而二极体(7)之阴极则连接到变阻器(3)与积体电路(1)之间的互连点,其阳极接地(GND)。图式简单说明:图1说明根据本发明之配置的具体实施例,其藉由一变阻器,保护积体电路之输入放大器不受静电放电(ESDs),图2是图1中变阻器之电阻对电压图,图3说明图1中使用之变阻器的第一具体实施例,而图4则说明图1中使用之变阻器的第二具体实施例。 |
