| 主权项 |
1.一种防止与腐蚀环境接触的导电结构腐蚀的方法,该方法包括:(a)以半导电涂料涂覆导电结构并提供连接到经涂覆的导电结构之电子滤波器;(b)监视涂覆导电结构所产生的腐蚀杂讯并调整该电子滤波器之滤波性质以使腐蚀杂讯减至最小。2.如申请专利范围第1项的方法,其中该电子滤波器包含电源及一电容器。3.如申请专利范围第1项的方法,其中该监视及调整步骤(b)是使用主动滤波器及监视装置连续执行。4.如申请专利范围第1项的方法,其中该电子滤波器包含衆多电容器及该步骤(b)进一步包含决定该衆多电容器每一个在该导电结构上之位置。5.如申请专利范围第1项的方法,其中该导电结构是金属导电结构。6.如申请专利范围第5项的方法,其中该金属导电结构包含从铁金属及导电非铁金属所组成之族群中所选出之金属。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该金属是钢铁。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该金属是铝。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该导电结构是从桥梁构件,轨道偶合机构,精炼厂,容器槽,金属塔,及导电混凝土结构所组成之族群中所选出。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导电涂层包含p型及n型半导体定域两者。11.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导电涂层包含金属-半导体接面。12.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导电涂层包含离子导体-半导体接面。13.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导电涂层包含金属-半导体-离子导体接面。14.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导电涂层包含半导体-绝缘体-半导体接面。15.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导电涂层是金属/金属氧化物/矽酸盐涂层。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该金属/金属氧化物/矽酸盐涂层是锌/氧化锌/矽酸盐涂层。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该锌/氧化锌/矽酸盐涂层包含之锌量为80~92重量%,以乾燥涂层为准。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该锌/氧化锌/矽酸盐涂层包含之锌量为85~89重量%,以乾燥涂层为准。19.如申请专利范围第15项之方法,其中该金属/金属氧化物/矽酸盐涂层包含从Zn,Ti,Al,Ga,Ce,Mg,Ba及Cs,以及对应金属氧化物所组成之族群中所选出之金属。20.如申请专利范围第19项之方法,其中该金属/金属氧化物/矽酸盐涂层包含一种或多种自Zn,Ti,Al,Ga,Ce,Mg,Ba及Cs所组成之族群中所选出之金属与一种或多种自彼等所得之金属氧化物之混合物。21.如申请专利范围第19项之方法,其中该半导电涂层进一步包含一种或多种掺杂物。22.一种防止导电结构腐蚀的系统,包括:(a)半导电涂层;(b)一固定电子滤波器;(c)一腐蚀杂讯监视系统;及(d)一可调整滤波器。23.如申请专利范围第22项的系统,其中该腐蚀杂讯监视系统进一步包含高阻抗参考电极及示波器。24.如申请专利范围第22项的系统,其中该可调整滤波器是从手动可调整滤波器及主动滤波器所组成之族群中所选出。25.如申请专利范围第22项之系统,其中该半导电涂层包含p型及n型半导体定域两者。26.如申请专利范围第22项之系统,其中该半导电涂层包含金属-半导体接面。27.如申请专利范围第22项之系统,其中该半导电涂层包含离子导体-半导体接面。28.如申请专利范围第22项之系统,其中该半导电涂层包含金属-半导体,离子导体接面。29.如申请专利范围第22项之系统,其中该半导电涂层包含半导体-绝缘体-半导体接面。30.如申请专利范围第22项之系统,其中该半导电涂层是金属/金属氧化物/矽酸盐涂层。31.如申请专利范围第30项之系统,其中该金属/金属氧化物/矽酸盐涂层是锌/氧化锌/矽酸盐涂层。32.如申请专利范围第31项之系统,其中该锌/氧化锌/矽酸盐涂层包含之锌量为80~92重量%,以乾燥涂层为准。33.如申请专利范围第32项之系统,其中该锌/氧化锌/矽酸盐涂层包含之锌量为85~89重量%,以乾燥涂层为准。34.如申请专利范围第30项之系统,其中该金属/金属氧化物/矽酸盐涂层包含自Zn,Ti,Al,Ga,Ce,Mg,Ba及Cs及对应金属氧化物所组成之族群中所选出之金属。35.如申请专利范围第34项之系统,其中该金属/金属氧化物/矽酸盐涂层包含一种或多种自Zn,Ti,Al,Ga,Ce,Mg,Ba及Cs所组成之族群中所选出之金属与一种或多种自彼等所得之金属氧化物之混合物。36.如申请专利范围第34项之系统,其中该半导电涂层进一步包含一种或多种掺杂物。图式简单说明:图1是本发明较佳具体实施例之Zn/ZnO接面之图解表示。图2显示一描述本发明系统的等效电路图。 |
