| 主权项 |
1.一种铜金属层制造方法,可预防铜金属层突起,适用于一基底上铜金属层进行平坦化制程之后的介电材质制程中,该方法至少包含:将该基材传送入一第一沉积制程反应室进行前处理以去除铜金属层表面之氧化铜并沉积一介电隔离层于该基材表面;以及将该基材传送入一第二沉积制程反应室以沉积一介电层,其中,该第一沉积制程反应室内的温度较该第二沉积制程反应室的温度低。2.如申请专利范围第1项所述之铜金属层制造方法,其中该介电材质为氮化矽或氮氧化矽。3.如申请专利范围第2项所述之铜金属层制造方法,其中该第一沉积制程反应室内的温度介于约摄氏150度至摄氏350度之间。4.如申请专利范围第2项所述之铜金属层制造方法,其中该第一沉积制程反应室内的温度介于约摄氏200度至摄氏300度之间。5.如申请专利范围第2项所述之铜金属层制造方法,其中该第二沉积制程反应室内的温度大于摄氏400度。6.如申请专利范围第1项所述之铜金属层制造方法,其中该介电隔离层的厚度约介于50埃至150埃之间。7.如申请专利范围第1项所述之铜金属层制造方法,其中该介电层的厚度约介于250埃至650埃之间。8.如申请专利范围第1项所述之铜金属层制造方法,其中该第一沉积制程反应室为一电浆沉积制程反应室。9.一种预防铜金属层突起的方法,适用于一基底上铜金属层进行平坦化制程之后的氮化矽制程中,该方法至少包含:将该基材传送入一第一沉积制程反应室进行前处理以去除铜金属层表面之氧化铜并沉积一氮化矽隔离层于该基材表面;以及将该基材传送入一第二沉积制程反应室以沉积一氮化矽层,其中,该第一沉积制程反应室内的温度较该第二沉积制程反应室的温度低。10.如申请专利范围第9项所述之预防铜金属层突起的方法,其中该氮化矽材质亦可置换成氮氧化矽材质。11.如申请专利范围第9项所述之预防铜金属层突起的方法,其中该第一沉积制程反应室内的温度介于约摄氏150度至摄氏350度之间。12.如申请专利范围第9项所述之预防铜金属层突起的方法,其中该第一沉积制程反应室内的温度介于约摄氏200度至摄氏300度之间。13.如申请专利范围第9项所述之预防铜金属层突起的方法,其中该第二沉积制程反应室内的温度大于摄氏400度。14.如申请专利范围第9项所述之预防铜金属层突起的方法,其中该氮化矽隔离层的厚度约介于50埃至150埃之间。15.如申请专利范围第9项所述之预防铜金属层突起的方法,其中该氮化矽层的厚度约介于250埃至650埃之间。16.如申请专利范围第9项所述之预防铜金属层突起的方法,其中该第一沉积制程反应室为一电浆沉积制程反应室。图式简单说明:第1图至第3图系绘示依照本发明一较佳实施例的一种铜金属层的制造流程示意图。 |
