发明名称 堆叠式发光二极体之改良结构
摘要 一种「堆叠式发光二极体之改良结构」,系于一发光晶片上另堆叠有一个或一个以上较小的发光晶片,且该等发光晶片的发光波长各不相同;其特征在:基层发光晶片可为透光或不透光晶片,而堆叠于其上的第二或第三发光晶片必须为透光晶片,堆叠时发光晶片之间系以透明绝缘胶固定者。据上述构造使用时,其能具有较佳之混色功效、亮度及缩小晶片所占之面积者。伍、(一)、本案代表图为:第一图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明:发光晶片 10、20 支架 30透明绝缘胶 40 导电胶
申请公布号 TW556969 申请公布日期 2003.10.01
申请号 TW092200135 申请日期 2003.01.06
申请人 光楠科技股份有限公司 发明人 何英明
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 樊欣佩 台北市中正区衡阳路三十六号四楼
主权项 1.一种「堆叠式发光二极体之改良结构」,主要系于一个固定于支架或电路板上的发光晶片之上,另堆叠有一个或一个以上较小的发光晶片,且该等发光晶用的发光波长各不相同;其特征在于:基层发光晶片可为透光或不透光晶片,而堆叠于其上的第二或三发光晶片必须为透光晶片,堆叠时发光晶片之间系以透明绝缘胶固定者。2.如申请专利范围第1项所述之「堆叠式发光二极体之改良结构」,其中基层发光晶片之二个电极端得分别设于该晶片之底部或/及顶面者。3.如申请专利范围第1项所述之「堆叠式发光二极体之改良结构」,其中上层发光晶片之二个电极端系分设于该晶片顶面之两侧者。图式简单说明:第一图系为本创作之一实施例组装示意图第二图为第一图之主要光线的混光状态示意图第三图A-E为本创作在发光晶片上设置电极端之各种可行变化示意图,其中每一实施例均包括有各发光晶片上视图及堆叠之后的上视与侧视组合图第四图A-C为本创作另外三种实施例之组装示意图第五图A与B为习知构造(一)之组装及混光状态示意图第六图A与B为习知构造(二)之组装及混光状态示意图第七图A与B为习知构造(三)之组装及混光状态示意图
地址 台北县中和市中山路二段三七一之一号五楼