发明名称 LATERAL JUNCTIION FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
摘要
申请公布号 AU2002354162(A1) 申请公布日期 2003.09.29
申请号 AU20020354162 申请日期 2002.12.02
申请人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 发明人 TAKASHI HOSHINO;HIROYUKI MATSUNAMI;TSUNENOBU KIMOTO;KAZUHIRO FUJIKAWA;SHIN HARADA;KENICHI HIROTSU;SATOSHI HATSUKAWA
分类号 H01L21/337;H01L29/808;(IPC1-7):H01L29/808 主分类号 H01L21/337
代理机构 代理人
主权项
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