| 主权项 |
1.一种形成焊料接点球供一球栅阵列半导体装置之方法,包含下列步骤:形成一片焊料,以形成一阵列之焊料预型片;将预型片之阵列置于一基片,焊球将行在其上电连接至接点区域;使预型片对准,在一接点区域各一;以及将基片及预型片加热,以导使焊料回流,致使每一预型片之回流焊料之表面张力在一接点区域形成一焊球。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中每一焊球之容积藉控制焊料形之几何结构予以控制。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中一阵列中之每一焊料预型片为与阵列中之其他预型片相同尺寸。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中每一预型片藉凸片接合至阵列中之其他预型片,并且每一凸片有一凹痕部份延伸通过凸片。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中每一预型片藉凸片连接至其他预型片,并且每一焊球系由预型片中之焊料及靠近预型片之凸片之一部份所构成。6.根据申请专利范围第1项之方法,包括使预型片在接点区域对准前,施加一种焊料熔剂至接点区域之步骤。7.一种形成焊料接点球供一球栅阵列半导体装置之方法,包含下列步骤:形成一片焊料,以形成一阵列之焊料预型片,阵列中之每一预型片藉凸片互相连接至阵列中之至少二其他预型片;将预型片之阵列置于一基片,焊球将行在其上电连接至接点区域;使预型片对准,在一接点区域各一;以及将基片及预型片加热,以导使焊料回流,致使每一预型片之回流焊料之表面张力在一接点区域形成一焊球。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中每一焊球之容积藉控制焊料形之几何结构予以控制。9.根据申请专利范围第7项之方法,其中一阵列中之每一焊料预型片为与阵列中之其他预型片相同尺寸。10.根据申请专利范围第7项之方法,其中每一预型片藉凸片接合至阵列中之其他预型片,并且每一凸片有一凹痕部份延伸通过凸片。11.根据申请专利范围第7项之方法,其中每一预型片藉凸片连接至其他预型片,并且每一焊球系由预型片中之焊料及靠近预型片之凸片之一部份所构成。12.根据申请专利范围第7项之方法,包括使预型片在接点区域对准前,施加一种焊料熔剂至接点区域之步骤。图式简单说明:第一图示一有球栅阵列接点之半导体装置。第二图示一用以作成预型片之焊片。第三图示一自一焊片所作成之预型片。第四图为焊料预型片之等角投影图。第五图为焊料预型片之第二实施例。第六图示对准在一基片上之预型片。第七图示自预型片所形成之焊球。第八图为形成焊球之工序之流程图。 |
