| 主权项 |
1.一种利用湿蚀刻清除场氧化层形成后之复晶矽残渣的方法,其形成步骤如下:在矽半导体基板上沉积一二氧化矽垫层;在所述二氧化矽垫层上形成一氮化矽层;蚀刻所述二氧化矽垫层和氮化矽层,定义出主动元件区域,其中于该氮化矽层下形成一凹槽;于主动元件区域边缘及该凹槽内,形成复晶矽侧壁子;进行氧化制程,将晶圆置于富含氧气的高温环境中,以所述氮化矽层作为氧化保护罩来形成一场氧化层,其中于该凹槽内之该复晶矽侧壁子并未氧化完全,形成一复晶矽残渣于该凹槽中;以湿式蚀刻去除所述氮化矽层;以一具蚀刻选择性之溶剂清洗所述二氧化矽垫层,以去除复晶矽残渣,该蚀刻选择性是指该溶剂对复晶矽材质之蚀刻速率大于对二氧化矽材质之蚀刻速率,前者对后者的蚀刻速率比値以ERR来表示;以及以湿蚀刻去除上述剩余的二氧化矽垫层。2.如申请专利范围第1项所述利用湿蚀刻清除场氧化层形成后之复晶矽残渣的方法,再包含一在矽半导体基板上以热氧化法形成新的二氧化矽垫层之步骤,于形成复晶矽侧壁子步骤之前。3.如申请专利范围第1项所述利用湿蚀刻清除场氧化层形成后之复晶矽残渣的方法,其中所述二氧化矽垫层,厚度介于100至400埃之间。4.如申请专利范围第1项所述利用湿蚀刻清除场氧化层形成后之复晶矽残渣的方法,其中所述之氮化矽层,其厚度介于1500至2500埃之间。5.如申请专利范围第1项所述利用湿蚀刻清除场氧化层形成后之复晶矽残渣的方法,其中所述之场氧化层,其厚度约为3500至6000埃左右。6.如申请专利范围第1项所述利用湿蚀刻清除场氧化层形成后之复晶矽残渣的方法,其中所述去除氮化矽层之湿式蚀刻,乃使用经加热的磷酸溶液。7.如申请专利范围第1项所述利用湿蚀刻清除场氧化层形成后之复晶矽残渣的方法,其中所述该蚀刻选择性之溶剂,乃氢氟酸(HF)与硝酸(HNO3)取适当浓度之混合溶液。8.如申请专利范围第1项所述利用湿蚀刻清除场氧化层形成后之复晶矽残渣的方法,其中所述该蚀刻选择性之溶剂,乃氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)与醋酸(CH3COOH)取适当浓度之混合溶液。9.如申请专利范围第1项所述利用湿蚀刻清除场氧化层形成后之复晶矽残渣的方法,其中所述该蚀刻选择性之溶剂,其蚀刻速率比値ERR,一般介于13-18之间。10.如申请专利范围第1项所述利用湿蚀刻清除场氧化层形成后之复晶矽残渣的方法,其中所述去除剩余二氧化矽垫层之湿式蚀刻,乃使用氢氟酸溶液。11.一种利用湿蚀刻清除场氧化层形成后之复晶矽残渣的方法,其形成步骤如下:于矽半导体基板上依序形成二氧化矽垫层和氮化矽层;利用复晶矽侧壁子局部矽氧化法,形成一场氧化层;以湿式蚀刻去除所述氮化矽层;以一具蚀刻选择性之溶剂清洗所述二氧化矽垫层,以去除复晶矽残渣,该蚀刻选择性是指该溶剂对复晶矽材质之蚀刻速率大于对二氧化矽材质之蚀刻速率,前者对后者的蚀刻速率比値以ERR来表示,该ERR値,一般介于13-18之间;以及以湿蚀刻去除上述剩余的二氧化矽垫层。12.如申请专利范围第11项所述利用湿蚀刻清除场氧化层形成后之复晶矽残渣的方法,其中所述二氧化矽垫层,厚度介于100至400埃之间。13.如申请专利范围第11项所述利用湿蚀刻清除场氧化层形成后之复晶矽残渣的方法,其中所述氮化矽层,其厚度介于1500至2500埃之间。14.如申请专利范围第11项所述利用湿蚀刻清除场氧化层形成后之复晶矽残渣的方法,其中所述场氧化层,其厚度约为2500至6000埃左右。15.如申请专利范围第11项所述利用湿蚀刻清除场氧化层形成后之复晶矽残渣的方法,其中所述去除氮化矽层之湿式蚀刻,乃使用经加热的磷酸溶液。16.如申请专利范围第11项所述利用湿蚀刻清除场氧化层形成后之复晶矽残渣的方法,其中所述该蚀刻选择性之溶剂,乃氢氟酸(HF)与硝酸(HNO3)取适当浓度之混合溶液。17.如申请专利范围第11项所述利用湿蚀刻清除场氧化层形成后之复晶矽残渣的方法,其中所述该蚀刻选择性之溶剂,乃氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)与醋酸(CH3COOH)取适当浓度之混合溶液。18.如申请专利范围第11项所述利用湿蚀刻清除场氧化层形成后之复晶矽残渣的方法,其中所述去除剩余二氧化矽垫层之湿式蚀刻,乃使用氢氟酸溶液。图式简单说明:第一图A为习知技艺LOCOS隔离制程中制定隔离所需场氧化层之晶圆剖面图;第一图B为习知技艺LOCOS隔离制程中产生鸟喙状场氧化层之晶圆剖面放大图;第二图A为习知技艺PSL隔离制程中经微影蚀刻后形成凹槽之晶圆剖面图;第二图B为习知技艺PSL隔离制程中形成新的二氧化矽垫层与复晶矽侧壁子之晶圆剖面图;第二图C为习知技艺PSL隔离制程中形成场氧化层并于氮化矽层下方凹槽中形成复晶矽残渣之晶圆剖面图;第二图D为习知技艺PSL隔离制程中形成场氧化层后去除氮化矽层与二氧化矽垫层之晶圆剖面图;第三图A为本发明隔离技术中于矽半导体基板上形成二氧化矽垫层与氮化矽层之晶圆剖面图;第三图B为本发明隔离技术中经微影蚀刻后形成凹槽之晶圆剖面图;第三图C为本发明隔离技术中形成复晶矽侧壁子之晶圆剖面图;第三图D为本发明隔离技术中形成场氧化层后去除氮化矽层与二氧化矽垫层之晶圆剖面图;第四图A为本发明隔离技术中形成复晶矽残渣之晶圆剖面图;第四图B为本发明隔离技术中利用高蚀刻选择性溶剂清除复晶矽残渣之晶圆剖面图;第四图C为本发明隔离技术中利用湿蚀刻去除剩余二氧化矽垫层之晶圆剖面图; |
