| 主权项 |
1.一种光罩,用以对施覆在一基片上的光阻赋予图案,该光罩包含一光阻断区域形成一边界在该基片上的一第一区域和一第二区域间之间,其中该光阻断区域的一宽度是使得该光阻断区域不投影在该光阻上。2.如申请专利范围第1项之光罩,其中该光阻断区域包括一直埠。3.如申请专利范围第1项之光罩,其中该第一区域是一第一记忆体逻辑格,且该第二区域是一第二记忆体逻辑格。4.如申请专利范围第3项之光罩,其中该光阻断区域延伸的一方向实质上系同于自至少一个第一记忆体逻辑格及第二记忆体逻辑格传送输出讯号的直线之方向。5.如申请专利范围第3项之光罩,其中:第一记忆体逻辑格包括一汲极、一源极及一闸极,同时第二记忆体逻辑格也包括一汲极、一源极及一闸极;且该光阻断区域延伸的方向实质上同于穿经第一记忆体逻辑格或第二记忆体逻辑格之汲极的直线之方向。6.如申请专利范围第3项之光罩,其中:第一记忆体逻辑格包括一汲极、一源极及一闸极,而第二记忆体逻辑格也包括一汲极、一源极及一闸极;且该光阻断区域延伸的方向实质上同于穿经第一记忆体逻辑格或第二记忆体逻辑格之源极的直线之方向。7.如申请专利范围第3项之光罩,其中:第一记忆体逻辑格包括一汲极、一源极及一闸极,同时第二记忆体逻辑格也包括一汲极、一源极及一闸极;且该光阻断区域延伸的方向实质上同于穿经第一记忆体逻辑格或第二记忆体逻辑格之闸极的直线之方向。8.如申请专利范围第3项之光罩,其中该第一记忆体逻辑格的一汲极,一源极及一闸极系分别相对于第二记忆体逻辑格的一汲极,一源极及一闸极成直线配置。9.一种半导体装置的制造方法,包含以下步骤:施覆光阻在一基片上;准备如申请专利范围第1项之光罩;以一光束照射该光阻以赋予该光阻一图案。10.一种半导体装置的制造方法,包含以下步骤:施覆光阻在一基片上;准备如申请专利范围第3项之光罩;以一光束照射该光阻以赋予该光阻一图案。11.一种用以产生掩模唯读记忆体的方法,包含以下步骤:施覆光阻在一基片上;准备如申请专利范围第3项之光罩;以一光束照射该光阻以赋予该光阻一图案。12.一种光罩之制造方法,此光罩系用以对施于一基片上之光阻赋予图案,该方法包含以下步骤:形成一光阻断区域,此光阻断区域形成一边界在该基片上第一区域和第二区域之间,其中该光阻断区域的一宽度是使得该光阻断区域不投影在该光阻上。图式简单说明:第一图是根据本发明实施例1的一掩模平面图。第二图是一由第一图的该掩模所投影的一光阻图案的一平面图。第三图则展示第二图的光阻图案,部份是以比较扩张之模式。第四图是根据本发明的实施例2的一掩模平面图。第五图则是展示一由第四图的该掩模所投影的一光阻图案的一平面图,部份是以比较扩张之模式。第六图是根据本发明的实施例3的一掩模平面图。第七图则是展示一由第六图的该掩模所投影的一光阻图案的一平面图,部份是以比较扩张之模式。第八图是一放大平面图展示第七图光阻图案的一掩模部份及该记忆体逻辑格的一部份。第九图一放大平面图展示第五图光阻图案的一掩模部份及如第八图所示的该记忆体逻辑格的一部份。第十图则是一展示一习用掩模的另一实施例。第十一图则是一展示一习用掩模的又一实施例。第十二图是一平面图展示第十一图该掩模所投影的一光阻图案。第十三图是一平面图展示一习用掩模的又一实施例。第十四图是展示根据本发明的记忆体逻辑格。 |
