| 主权项 |
1.一种不具有孔隙之塑胶封装电子装置的成形方法,该方法包括下列步骤:提供一导线架,具有一外部框架及复数导线指,该等导线指系与该外部框架形成于同一平面;将该等导线指之一部分弯曲后便包覆于塑胶封装之中,使得当导线指定位于一模穴之中时,形成于弯曲后的该等导线指、一第一内模面之间的一第一流动通道系与形成于弯曲后的该等导线指、一第二内模面之间的一第二流动通道是具有相近的尺寸,该第二内模面系相对于该第一内模面,并且该第一内模面系较该第二内模面接近于弯曲后的该等导线指;将该导线架、弯曲后的该等导线指与一电子装置定位于一模穴之中;及将塑胶注入于该模穴而将弯曲后的该等导线指及该电子装置进行封装,藉由弯曲后的该等导线指使得塑胶的流动较为平均,以减少孔隙的形成。2.如申请专利范围第1项所述之成形方法,其中,该电子装置与弯曲后的该等导线指之间系电性接连。3.如申请专利范围第1项所述之成形方法,其中,于该第一流动通道之一第一流动速度系相同于该第二流动通道之一第二流动速度。4.如申请专利范围第1项所述之成形方法,其中,该第一内模面系平行于该第二内模面。5.如申请专利范围第1项所述之成形方法,其中,该等导线指系由该外框架而发出,并且由该外框架而向内延伸。6.如申请专利范围第1项所述之成形方法更包括有一步骤,该步骤系藉由朝向于一流动通道之U字型的开口将该等导线指之中的部分该等导线指进行U型弯曲的成形,以提高该流动通道之塑胶流动速度。7.如申请专利范围第1项所述之成形方法更包括有一步骤,该步骤系藉由朝向于一流动通道之V字型的开口将该等导线指之中的部分该等导线指进行V型弯曲的成形,以提高该流动通道之塑胶流动速度。8.如申请专利范围第1项所述之成形方法更包括有一步骤,该步骤系藉由以角度45对于该导线之一平面进行倾斜而朝向于一流动通道,以提高该流动通道之塑胶流动速度。9.如申请专利范围第1项所述之成形方法更包括有一步骤,该步骤系藉由朝向于一流动通道之U字型的开口将该等导线指之中的部分该等导线指进行U型缺口的成形,以提高该流动通道之塑胶流动速度。10.如申请专利范围第1项所述之成形方法更包括有一步骤,该步骤系藉由朝向于一流动通道之V字型的开口将该等导线指之中的部分该等导线指进行V型缺口的成形,以提高该流动通道之塑胶流动速度。11.如申请专利范围第1项所述之成形方法更包括有一步骤,该步骤系将该导线指之顶端安装于一IC晶片之表面,而该IC晶片系藉由黏性胶带接合于复数结合垫。12.如申请专利范围第1项所述之成形方法,该方法系形成一电子装置之塑胶封装。13.一种封装IC装置之平衡模流的方法,包括下列步骤:提供一导线架,具有复数导线指,该等导线指系由一外框架而发出,并且由一内框架而向内延伸;将该等导线指弯曲后便包覆于塑胶封装之中,使得形于一导线指之顶面与一上内模面之间的一第一流动通道、形于一导线指之底面与一下内模面之间的一第二流动通道之间达到平衡;将该导线架及一IC装置定位于一模穴之中;以及将塑胶注入于该模穴而将弯曲后的该等导线指及该IC装置进行封装。14.如申请专利范围第13项所述之封装IC装置之平衡模流的方法,其中,于该第一、二流动通道之该平衡塑胶流系减少了不平衡塑胶流于该模具中之孔隙。15.如申请专利范围第13项所述之封装IC装置之平衡模流的方法,其中,于该等导线指系均形成于该外框架之一平面上。16.如申请专利范围第14项所述之封装IC装置之平衡模流的方法,其中,该孔隙系藉由塑胶流动时所夹带的空气所形成。17.如申请专利范围第13项所述之封装IC装置之平衡模流的方法,其中,于该第一流动通道中之一第一塑胶流动速度系相同于该第二流动通道中之一第二塑胶流动速度。18.如申请专利范围第13项所述之封装IC装置之平衡模流的方法,其中,该上内模面系平行于该下内模面。19.如申请专利范围第13项所述之封装IC装置之平衡模流的方法更包括有一步骤,该步骤系藉由朝向于一流动通道之U字型的开口将该等导线指之中的部分该等导线指进行U型弯曲的成形,以提高该流动通道之塑胶流动速度。20.如申请专利范围第13项所述之封装IC装置之平衡模流的方法更包括有一步骤,该步骤系藉由朝向于一流动通道之V字型的开口将该等导线指之中的部分该等导线指进行V型弯曲的成形,以提高该流动通道之塑胶流动速度。21.如申请专利范围第13项所述之封装IC装置之平衡模流的方法更包括有一步骤,该步骤系藉由以角度45对于该导线之一平面进行倾斜而朝向于一流动通道,以提高该流动通道之塑胶流动速度。22.如申请专利范围第13项所述之封装IC装置之平衡模流的方法更包括有一步骤,该步骤系藉由朝向于一流动通道之U字型的开口将该等导线指之中的部分该等导线指进行U型缺口的成形,以提高该流动通道之塑胶流动速度。23.如申请专利范围第13项所述之封装IC装置之平衡模流的方法更包括有一步骤,该步骤系藉由朝向于一流动通道之V字型的开口将该等导线指之中的部分该等导线指进行V型缺口的成形,以提高该流动通道之塑胶流动速度。24.如申请专利范围第13项所述之封装IC装置之平衡模流的方法系使用塑胶封装的IC装置。图式简单说明:第一图A系表示孔隙形成于封装顶侧之传统LOC封装的放大平面图;第一图B系表示孔隙形成于封装底侧之传统LOC封装的放大平面图;第一图C系表示塑胶中包含有空气之传统LOC封装的放大平面图;第一图D系表示孔隙形成于封装之顶侧、底侧之传统LOC封装的放大平面图;第二图A系表示根据本发明之LOC封装中,藉由一U型弯曲部分来改良导线指上方之模流的放大剖面图;第二图B系表示根据本发明之非LOC封装中,藉由一反向的U型弯曲部分而使得导线指之下方可具有较多的塑胶模流的放大剖面图;第二图C系表示根据本发明之LOC封装中,具有倾角为45之一导线指系可以使得导线指之上可以具有较高之模流速度的放大剖面图;第二图D系表示根据本发明之非LOC封装中,具有倾角为45之一导线指系可以使得导线指之下可以具有较高之模流速度的放大剖面图;第二图E系表示根据本发明之LOC封装中,形成有U、V型缺口之导线指系可以提高塑胶流动速度的放大剖面图;第三图A系表示根据本发明之LOC封装中,藉由一导线指系结合于IC晶片与一U型弯曲部分而提高于导线指上方之塑胶流动速度的放大剖面图;第三图B系表示根据本发明之LOC封装中,藉由一导线指系结合于IC晶片与一倾斜面部分而使得于导线指上方可以具有较高之塑胶流动速度的放大剖面图;以及第三图C系表示根据本发明之LOC封装中的一导线指系结合至具有U、V型缺口之一IC晶片上,如此以提高于导线指上方之塑胶流动速度的放大剖面图。 |
