| 主权项 |
1.一种1:3铸模式薄小轮廓半导体封装构造,其系包含:一导线架构造,其包含:一沉置区(down-set region),其中该沉置区与该导线架构造系具有一高度差;复数条导线具有内脚部以及外脚部,该复数条导线之内脚部共同界定一中央区域,其中该复数条导线之内脚部、该复数条导线之外脚部的大部分系位于该沉置区;一晶片承座,设于该中央区域,该晶片承座与该沉置区系具有一高度差;及至少两支撑肋条,该每一支撑肋条一端连接该晶片承座,另一端连接该导线架,其中该每一支撑肋条之大部分系位于该沉置区;一半导体晶片,设于该导线架构造之晶片承座并且电性连接该复数条导线之内脚部;及一封装体,包覆该半导体晶片以及该导线架构造,该复数条导线之外脚部系伸出于该封装体外;其中该导线架构造沉置区与该半导体晶片系位于封装体的中间,使其与封装体之上表面及下表面距离相同。2.依申请专利范围第1项之半导体封装构造,其中该晶片承座与该沉置区之高度差系相当于该半导体晶片厚度的一半。3.一种导线架构造,其系用于形成一1:3铸模式薄小轮廓半导体封装构造,该导线架构造系包含:一沉置区(down-set region),其中该沉置区与该导线架构造系具有一高度差;复数条导线具有内脚部以及外脚部,该复数条导线之内脚部共同界定一中央区域,其中该复数条导线之内脚部、该复数条导线之外脚部的大部分系位于该沉置区;一晶片承座,设于该中央区域以承载一半导体晶片,其中该晶片承座与该沉置区系具有一高度差;至少两支撑肋条,该每一支撑肋条一端连接该晶片承座,另一端连接该导线架构造,其中该每一支撑肋条之大部分系位于该沉置区。图式简单说明:第一图:习用薄小轮廓封装构造以一1:3铸模进行封胶之剖面图;第二图:根据本发明实施例之一导线架构造之上视图;及第三图:根据本发明实施例之半导体装置以一1:3铸模进行封胶之剖面图。 |
