发明名称 | 带有检测缺陷用的强化电路的存储器 | ||
摘要 | 一种用来检测存储单元中数据保存缺陷的带有强化电路的存储电路(20)。存储电路(20)包含一个连接于位线的存储单元阵列(22)、一个被连接以对存储单元进行存取的存取电路(24)和一个被连接以强化存储单元的放电电路。 | ||
申请公布号 | CN1122280C | 申请公布日期 | 2003.09.24 |
申请号 | CN95194685.4 | 申请日期 | 1995.06.16 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | E·罗森;Y·米尔斯坦 |
分类号 | G11C13/00 | 主分类号 | G11C13/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;萧掬昌 |
主权项 | 1、一种存储电路,它包含:含有至少一个连接于一组位线的存储单元的存储单元阵列,所述存储单元包括:一对连接到第一内部节点和第二内部节点的交叉耦合的倒相器;连接在第一内部节点和第一位线之间的第一通道门;和连接在第二内部节点和第二位线之间的通道门;被连接以存取存储单元的存取电路;被连接以借助于在被存取电路进行存取存储单元期间使第一位线和第二位线放电以同时使第一内部节点和第二内部节点放电而强化存储单元的放电电路;其中所述放电电路包括连接到第一位线的第一放电晶体管和连接到第二位线的第二放电晶体管,所述第一放电晶体管和第二放电晶体管由来自存取电路的强化控制信号激活。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |