发明名称 半导体封装之切断方法
摘要 所揭示者系为一种用于切割半导体封装件的方法,其保能够产生高品质之半导体装置,而不会对半导体装置造成损坏,从而增加产量,并且系可以利用单一真空处理站而不管所产生之个别单元的尺寸为何,从而降低了制造成本。此方法系含将半导体封装件装设在一真空处理站的步骤;藉由使用一切割轮体而将半导体封装件部分地切割为一预定厚度;对半导体封装件进行清洗以将泥浆从半导体封装件处移去,并接着对半导体封装件进行乾燥;以及经由雷射光束之辅助而将半导体封装件完全地切割为个别单元。
申请公布号 TW554435 申请公布日期 2003.09.21
申请号 TW091117868 申请日期 2002.08.08
申请人 高丽半导体系统股份有限公司 发明人 朴明淳
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种用于切断一半导体封装件的方法,其系包括有:一个装设步骤,其中,该半导体封装件系被装设在一个真空处理站中;一个预切割步骤,其中,该半导体封装件系藉由一个切割轮体而被部分地切割成一预定厚度;一个清洗及乾燥步骤,其中,泥浆系从该半导体封装件处移去,该泥浆系为在预切割步骤期间所产生者,并且该半导体封装件系接着被加以乾燥;以及一个切割步骤,其中,该半导体封装件系经由雷射光束的辅助而被完全地切割。2.根据申请专利范围第1项所述之方法,其中,该半导体封装件系被部分地切割,以使得剩下的厚度系能够发挥一个足以运送在预切割步骤中仍为完整之半导体封装件的支承强度,并且剩下的厚度系在切割步骤中藉由该雷射光束而被完全地切割。图式简单说明:第一图和第二图系为剖面图,其系分别说明了用于切割半导体封装件之传统方法以及泥浆留在真空处理站中的问题;第三图系为一立体图,其系显示了使用于切割半导体封装件之传统真空处理站;第四图系为一方块图,其系说明了根据本发明之用于切割半导体封装件的方法;第五图系为一剖面图,其系说明了根据本发明之切割方法的预切割步骤;以及第六图系为一剖面图,其系说明了根据本发明之切割方法而藉由使用雷射光束的切割步骤。
地址 韩国