| 主权项 |
1.一种半导体晶圆清洗装置,系配合一半导体晶圆,主要包括:一具一中空腔室之壳体;一吸取单元或夹持单元,系位于该中空腔室内,用以吸取或夹持该半导体晶圆;以及至少一超音波清洗单元,系位于该吸取单元或夹持单元之一侧,用以清洗该半导体晶圆。2.如申请专利范围第1项所述之清洗装置,其中该吸取单元系为一吸盘。3.如申请专利范围第1项所述之清洗装置,其中该夹持单元为一夹盘。4.如申请专利范围第1项所述之清洗装置,其中该超音波之频率范围为0.5百万赫兹至2百万赫兹。5.如申请专利范围第1项所述之清洗装置,其中该超音波清洗单元为一超音波喷嘴或一超音波容器。6.如申请专利范围第5项所述之清洗装置,其包含至少一个超音波喷嘴,用以清洗该半导体晶圆具有元件之面。7.一种清洗半导体晶圆之方法,系在一中空腔室内,以一半导体晶圆夹持单元或吸取单元吸取或夹持该半导体晶圆;以及以至少一超音波清洗单元清洗一半导体晶圆之表面。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该吸取单元为一吸盘,用以吸取该半导体晶圆进行清洗。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该夹持单元为一夹盘,用以夹持该半导体晶圆进行清洗。10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该超音波之频率范围为0.5百万赫兹至2百万赫兹。11.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该清洗单元为一超音波喷嘴或一超音波容器。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其包含至少一个超音波喷嘴,用以清洗该半导体晶圆具有元件之面。图式简单说明:第1图系本发明之超音波喷嘴清洗装置剖视图。第2图系本发明之超音波震荡清洗装置剖视图。 |
