| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,其系一种由具有:依序连续进行连续之不同的复数的一连串的工程之流水线处理工程;以及设置有同一种类的复数的处理装置,复数同时进行不同之条件的处理之工作站处理工程之一连串的制造工程所形成之半导体装置的制造方法,其特征为:在前述一连串之制造工程之中,以哪个之同一工程进行前述流水线处理或前述工作站处理之其中一方或两者,组合前述流水线处理与前述工作站处理以进行前述一连串之制造工程。2.如申请专利范围第1项记载之半导体装置的制造方法,其中在前述流水线处理工程与前述工作站处理工程之接续地方配置载入单元,在前述流水线处理工程与前述工作站处理工程之间,交接被处理物之际,于前述载入单元收容前述被处理物。3.如申请专利范围第1项记载之半导体装置的制造方法,其中藉由一贯处理装置进行前述流水线处理工程之连续的不同之复数的处理。4.如申请专利范围第3项记载之半导体装置的制造方法,其中藉由前述一贯处理装置进行黏晶与清洁处理与焊线之一贯处理。5.如申请专利范围第3项记载之半导体装置的制造方法,其中藉由前述一贯处理装置进行标印与切断与测试与外观检查之一贯处理。6.如申请专利范围第1项记载之半导体装置的制造方法,其中于前述一连串之制造工程中,利用2种之前述一贯处理装置与3种之工作站处理装置,前述2种之一贯处理装置之中,一方之第1一贯处理装置系进行:黏晶与清洁处理与焊线者,另一方之第2一贯处理装置系进行标印与切断与测试与外观检查者之同时,前述3种之工作站处理装置系分别进行切断、封胶或外装电镀者。7.如申请专利范围第6项记载之半导体装置的制造方法,其中前述第1一贯处理装置之焊线机系因应前述半导体装置之外部端子数而改变其之设置台数。8.一种半导体装置的制造方法,其系一种由具有:依序连续进行连续之不同的复数的一连串的工程之流水线处理工程;以及设置有同一种类的复数的处理装置,复数同时进行不同之条件的处理之工作站处理工程之一连串的制造工程所形成之半导体装置的制造方法,其特征为:在前述一连串之制造工程之中,以哪个之同一工程进行前述流水线处理或前述工作站处理之其中一方或两者,组合前述流水线处理与前述工作站处理以进行前述一连串之制造工程,作为前述流水线处理,利用一贯处理装置组装主产品,另一方面,在前述工作站处理中利用工作站处理装置,组装少量种类产品。9.一种半导体装置的制造方法,其系一种由具有:依序连续进行连续之不同的复数的一连串的工程之流水线处理工程;以及设置有同一种类的复数的处理装置,复数同时进行不同之条件的处理之工作站处理工程之一连串的制造工程所形成之半导体装置的制造方法,其特征为:在前述一连串之制造工程之中,以哪个之同一工程进行前述流水线处理或前述工作站处理之其中一方或两者,组合前述流水线处理与前述工作站处理以进行前述一连串之制造工程,作为前述流水线处理,利用2种之一贯处理装置,分别进行前述流水线处理之同时,在藉由前述2种之一贯处理装置之前述2个之流水线处理之间进行前述工作站处理。10.一种半导体装置的制造方法,其系一种由具有:依序连续进行连续之不同的复数的一连串的工程之流水线处理工程;以及设置有同一种类的复数的处理装置,复数同时进行不同之条件的处理之工作站处理工程之一连串的制造工程所形成之半导体装置的制造方法,其特征为:在前述一连串之制造工程之中,以哪个之同一工程进行前述流水线处理或前述工作站处理之其中一方或两者,组合前述流水线处理与前述工作站处理以进行前述一连串之制造工程,在前述流水线处理中,利用一贯处理装置,进行前述流水线处理之同时,在前述半导体装置为插单产品之际,利用前述一贯处理装置优先处理前述插单产品。11.一种半导体装置的制造方法,其系一种由具有:依序连续进行连续之不同的复数的一连串的工程之流水线处理工程;以及设置有同一种类的复数的处理装置,复数同时进行不同之条件的处理之工作站处理工程之一连串的制造工程所形成之半导体装置的制造方法,其特征为:在前述一连串之制造工程之中,以哪个之同一工程进行前述流水线处理或前述工作站处理之其中一方或两者,组合前述流水线处理与前述工作站处理以进行前述一连串之制造工程,作为前述流水线处理,利用至少设置有1个之载入单元之一贯处理装置。12.如申请专利范围第11项记载之半导体装置的制造方法,前述第1一贯处理装置系藉由黏晶机与清洁处理部与焊线机所构成之同时,前述载入单元被设置于前述清洁处理部与前述焊线机之间,在将被处理物由前述清洁处理部设定于前述载入单元之际,将前述被处理物放入容器以容器单位设定。13.如申请专利范围第11项记载之半导体装置的制造方法,前述第1一贯处理装置具有复数的焊线机与清洁处理部之同时,卸载单元被设置于前述复数的焊线机之中的邻接之某2台之间,于前述复数的焊线机中,被配置于由前述卸载单元起远离前述清洁处理部之地方的焊线机的设置数系在被配置于与前述清洁处理部之间的焊线机之设置数以上。14.一种半导体装置的制造方法,其系一种由具有:依序连续进行连续之不同的复数的一连串的工程之流水 线处理工程;以及设置有同一种类的复数的处理装置,复数同时进行不同之条件的处理之工作站处理工程之一连串的制造工程所形成之半导体装置的制造方法,其特征为:在前述一连串之制造工程之中,以哪个之同一工程进行前述流水线处理或前述工作站处理之其中一方或两者,组台前述流水线处理与前述工作站处理以进行前述一连串之制造工程,前述流水线处理系具有:进行黏晶与清洁处理与焊线之第1一贯处理,与进行标印与切断与测试与外观检查之第2一贯处理,进行前述第1一贯处理之第1一贯处理装置的处理能力比进行前述第2一贯处理之第2一贯处理装置的处理能力大。15.如申请专利范围第14项记载之半导体装置的制造方法,其中以前述第1一贯处理组装主产品,以对应前述第1一贯处理之工作站处理组装少量种类产品。16.一种半导体装置的制造方法,其系一种由具有:依序连续进行连续之不同的复数的一连串的工程之流水线处理工程;以及设置有同一种类的复数的处理装置,复数同时进行不同之条件的处理之工作站处理工程之一连串的制造工程所形成之半导体装置的制造方法,其特征为:在前述一连串之制造工程之中,以哪个之同一工程进行前述流水线处理或前述工作站处理之其中一方或两者,组合前述流水线处理与前述工作站处理以进行前述一连串之制造工程,前述流水线处理系具有:进行黏晶与清洁处理与焊线之第1一贯处理,与进行标印与切断与测试与外观检查之第2一贯处理,于进行前述测试之测试部中,利用复数的测试头进行测试。17.一种半导体装置的制造方法,其系一种由具有:依序连续进行连续之不同的复数的一连串的工程之流水线处理工程;以及设置有同一种类的复数的处理装置,复数同时进行不同之条件的处理之工作站处理工程之一连串的制造工程所形成之半导体装置的制造方法,其特征为:在前述一连串之制造工程之中,以哪个之同一工程进行前述流水线处理或前述工作站处理之其中一方或两者,组合前述流水线处理与前述工作站处理以进行前述一连串之制造工程,将由前述一连串的制造工程之主工程来之资讯传送于管理手段,将依据此资讯而动工之产品的指示由前述管理手段送往前述一连串的制造工程之前述主工程的各处理装置。18.如申请专利范围第17项记载之半导体装置的制造方法,其中对于前述一连串的制造工程之第1工程的切断工程之切断装置,进行晶圆投入之指示。19.如申请专利范围第17或18项记载之半导体装置的制造方法,其中前述一连串的制造工程之中,将优先在前述流水线处理被进行之一贯处理之指示送往前述工作站处理工程的工作站处理装置。20.如申请专利范围第17或18项记载之半导体装置的制造方法,其中前述一连串之制造工程之中,于进行前述流水线处理之一贯处理装置中发生故障之际,将在前述一贯处理被进行之处理藉由前述工作站处理进行地,对前述工作站处理工程之工作站处理装置传送指示。21.如申请专利范围第17或18项记载之半导体装置的制造方法,其中前述一连串之制造工程之中,进行前述流水线处理之一贯处理装置或进行前述工作站处理之工作站前述一连串之制造工程之中,使进行前述流水线处理之一贯处理装置或进行前述工作站处理之工作站处理之至少其中一方计画性地停止之同时,对于伴随此停止之离线的工作站处理装置传送动工之指示。22.一种半导体装置的制造方法,其系一种由具有:依序连续进行连续之不同的复数的一连串的工程之流水线处理工程;以及设置有同一种类的复数的处理装置,复数同时进行不同之条件的处理之工作站处理工程之下述(a)~(e)之一连串的制造工程所形成之半导体装置的制造方法,其特征为:具有:(a)作为前述工作站处理工程,进行半导体晶圆的切断,一片一片化之工程;以及(b)前述(a)工程后,作为前述流水线处理工程,藉由第1一贯处理装置连续依序进行半导体晶片的黏晶、清洁处理以及焊线之工程;以及(c)前述(b)工程后,作为前述工作站处理工程,进行前述半导体晶片的树脂封胶工程;以及(d)前述(c)工程后,作为前述工作站处理工程,对外部端子施以外装电镀之工程;以及(e)前述(d)工程后,作为前述流水线处理工程,藉由第2一贯处理装置连续依序进行标印、切断、测试以及外观检查之工程,组合前述流水线处理与前述工作站处理,经过前述一连串之制造工程而组装。图式简单说明:图1系显示使用于本发明之实施形态之半导体装置的制造方法之旗舰线之构造的一例之全体构成图,图2系显示图1所示之旗舰线之第1一贯处理装置之构造的构成图,图3系显示图1所示之旗舰线之第2一贯处理装置之构造的构成图,图4系显示图3所示之第2一贯处理装置的测试部与外观检查部与卸载机之详细构造之平面图,图5系显示图1所示之旗舰线与既存线之并用线的构造之一例的构成图,图6系比较图5所示之旗舰线之各处理装置之处理能力的大小之一例而显示之能力比较图,图7系显示图5所示之旗舰线与并用线之各工程的时间图之一例的工程排程图,图8系显示图5所示之并用线之离线指示时的物流之一例的构成图,图9(a)、(b)系显示图1所示之旗舰线之第1一贯处理装置之其它的使用方法之一例的构成图,图10系显示图1所示之旗舰线之其它的使用方法之一例之构成固,图11系显示图1所示之旗舰线之组装工程之一例之制造流程图,图12系显示藉由图11所示之制造制程所组装之QFP之构造的一例之剖面图。 |
