| 主权项 |
1.一种Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造装置,在至少将铝金属装填于反应管的内部的气体的流动方向的上流侧,并同时将基板装填于下流侧,然后从外部将氯系气体和氨气随同载气而同时地导入至内侧反应管中,然后使经由该铝金属及该氯系气体反应而形成的氯化铝气体和该氨气反应,而至少使氯化物气相磊晶成长包括A1的氮化物膜的Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造装置中,其特征在于:将该反应管的至少和氯化铝气体接触的内壁部分,形成氮化铝。2.如申请专利范围第1项所述的Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造装置,其中,将该反应管的全体形成氮化铝。3.如申请专利范围第1项所述的Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造装置,其中,该反应管系由以氧化矽系材料所形成的反应管本体和被被覆(coating)在该反应管内壁的氮化铝膜所构成。4.如申请专利范围第3项所述的Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造装置,其中,该反应管的该氮化铝膜系由热CVD法所形成。5.如申请专利范围第1项所述的Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造装置,其中,将和该反应管的该氮化铝气体接触的部分形成氮化铝,并且将其他的部分形成氧化矽材料。6.如申请专利范围第1.2.3.4或5项所述的Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造装置,其中,在该Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜中的A1含有量系50原子%以上。7.如申请专利范围第6项所述的Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造装置,其中,该Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜系A1N膜。8.一种Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造装置,至少使氯化物气相磊晶成长包括A1的氮化物膜于一既定的基板上的Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的装置,包括:一二重构造,包括:一内侧反应管,支撑该基板及至少铝金属部材于该装置内部;以及一外侧反应管,包围该内侧反应管;一反应管机构,以氧化矽系材料形成该等内侧反应管及外侧反应管;一气体供给装置,将氯系气体、氨气及载气导入该内侧反应管;以及一加热装置,加热该内侧反应管的内部;以及一气体泄漏检测装置,具有检测该外侧反应管间的气体泄漏的气体浓度检测器。9.如申请专利范围第8项所述的Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造装置,其中,在该内侧反应管和该外侧反应管之间设计有压力差,而配置该气体浓度检测器用以检测压力较低的那一方的反应管内的气体浓度。10.如申请专利范围第9项所述的Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造装置,其中,使该外侧反应管的压力比该内侧反应管的压力更低,而配置该气体浓度检测器用以检测该外侧反应管内部的气体浓度。11.如申请专利范围第8.9或10项所述的Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造装置,其中,该气体泄漏检测装置中的气体浓度检测器,系至少检测由氨气、氯化氢气体、氮气以及钝气所组成的范围中之一种。12.如申请专利范围第8项所述的Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造装置,其中,在该Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜中的A1含有量系50原子%以上。13.如申请专利范围第12项所述的Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造装置,其中,该Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜系A1N膜。14.一种Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造方法,包括:在能够检测内侧反应管和外侧反应管之间的气体的泄漏的二重构造的反应管机构中,至少将铝金属装填于反应管的内部的气体的流动方向的上流侧,并同时将基板装填于下流侧;从外部将氯系气体和氨气随同载气而同时地导入至内侧反应管中;以及使经由该铝金属及该氯系气体反应而形成的氯化铝气体和该氨气反应,而至少使氯化物气相磊晶成长包括A1的氮化物膜的Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜于该基板上。15.如申请专利范围第14项所述的Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造方法,其中该基板系由Al2O3.SiC、NdGaO3.LiGaO2.LiAlO2.ZnO、MgO、MgAl2O4.GaAs、InP或是Si的单结晶基板所构成。16.如申请专利范围第14项所述的Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造方法,其中该基板系由Al2O3.SiC、NdGaO3.LiGaO2.LiAlO2.ZnO、MgO、MgAl2O4.GaAs、InP或是Si的单结晶基材,以及在该表面上具有被磊晶成长的由wurtzite结晶结构或是闪锌(zinc blende)结晶结构所构成的下地膜所构成的磊晶成长基板所构成。17.如申请专利范围第14.15或16项所述的Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造方法,其中在该Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜中的A1含有量系50原子%以上。18.如申请专利范围第17项所述的Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜的制造方法,其中该Ⅲ-Ⅴ族氮化物膜系A1N膜。图式简单说明:第1图是关于本发明的第1的制造装置的第1的实施例的构成示意图。第2图是关于本发明的第1的制造装置的第2的实施例的构成示意图。第3图是关于本发明的第1的制造装置的第3的实施例的构成示意图。第4图是本发明的第2的制造装置的一例的构成示意图。 |
