| 主权项 |
1.一种改善周期性电极排列引发光绕射效应之结构,该结构包括:(a).复数个第一电极及复数个第二电极,其中第一电极及第二电极两者之一或两者为透明电极,且上述透明电极为周期性电极结构排列;以及(b).将多层具不同折射率的透明介电材质以特定厚度形成于周期性电极结构排列之复数透明电极之间,其中多层具不同折射率的透明介电材质之折射率及厚度与透明电极之折射率及厚度之关系需符合公式一,公式一:0.8nedded≦n1d1+n2d2+.....+nxdx≦1.2nedded其中n1为第一介电层的折射率,n2为第二介电层的折射率,nx为第x层介电层的折射率,ned为透明电极的折射率;d1为第一介电层的部份或全部厚度(m),d2为第二介电层的部份或全部厚度(m),dx为第x介电层的部份或全部厚度(m),ded为透明电极的厚度(m)。2.如申请专利范围第1项所述之改善周期性电极排列引发光绕射效应之结构,其中该透明介电材质系为富矽之化学气相沈积氧化物或氮化物。3.如申请专利范围第1项所述之改善周期性电极排列引发光绕射效应之结构,其中该透明介电材质系择自二氧化钛、氧化锌、二氧化铈或是硫化锌。4.如申请专利范围第1项所述之改善周期性电极排列引发光绕射效应之结构,其中该透明介电材质系为含氟玻璃。5.如申请专利范围第1项所述之改善周期性电极排列引发光绕射效应之结构,其中该透明电极材质系择自于铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌铝氧化物(AZO)或氧化锌(ZnO)。6.申请专利范围第1项所述之改善周期性电极排列引发光绕射效应之结构,其中该介电层的部份或全部厚度系指该介电层与透明电极相连的厚度。7.一种液晶显示装置,包括:一主动矩阵基板;一第二基板,其与主动矩阵基板相对;以及液晶,充填于二基板之间;其中,该主动矩阵基板包括:配置成矩阵状之一像素电极与一共通电极所构成之一像素,与用以控制该像素之操作的一开关元件,系形成于该第一基板之该液晶层侧一基板,其上复数条信号线,与扫描线交错;其特征在于该像素电极与该共通电极两者或两者之一为透明电极,且其结构为申请专利范围第1项所述之改善周期性电极排列引发光绕射效应之结构。8.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置,其中该主动矩阵基板系为薄膜电晶体(TFT)阵列基板。9.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置,该液晶显示装置系为具有周期性电极排列之横向电场操作模式的液晶显示装置。10.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置,该液晶显示装置系为具有周期性电极排列之平面切换法(In Plane Switching,IPS)的液晶显示装置。11.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置,该液晶显示装置系为具有周期性电极排列之边缘电场驱动模式(fringe-field switching)的液晶显示装置。12.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置,该液晶显示装置系为投影系统型液晶显示装置。13.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置,该液晶显示装置系为反射式显示装置。14.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置,该液晶显示装置系为半穿透式显示装置。图式简单说明:第1图为习知IPS型液晶显示器下部基板平面图。第2图为第1图所示之下部基板沿Ⅱ-Ⅱ'断线之剖面图。第3图为本发明第1实施例之下部基板剖面图。第4a~4e图为本发明第1实施例之制程流程图。第5图为本发明第2实施例之下部基板剖面图。第6图为本发明第3实施例之下部基板剖面图。第7图为本发明第4实施例之下部基板剖面图。第8a~8e图为本发明第4实施例之制程流程图。第9a~9e图为本发明第5实施例之制程流程图。第10图为液晶显示装置的概略侧面图。 |
