| 主权项 |
1.一种极性反置红外线发光二极体(IrED)之功率发射效能提升元件,该IrED之功率发射效能提升元件具有第一电极与第二电极,在该第一电极与第二电极之间依序包含:一基板;一成长于该基板顶层的第一磊晶层;一成长于该第一磊晶层上的第二磊晶层;其中,该基板具有与发光路径成正交的凹下曲面,在该凹下曲面上涂布有液态玻璃(Spin-on-glass,SOG)。2.如申请专利范围第1项所述之极性反置IrED之功率发射效能提升元件,其中该第一磊晶层系为N型半导体层,该第一电极系连接于电路之负极。3.如申请专利范围第1项所述之极性反置IrED之功率发射效能提升元件,其中该第二磊晶层系为P型半导体层,该第二电极系连接于电路之正极。4.如申请专利范围第1项所述之极性反置IrED之功率发射效能提升元件,其中该IrED之第一电极或第二电极系复数个欧姆接触之金属电极组成,且该金属电极可以为点状,包括圆形、方形、或任何期望的形状,其点状间更可以包含连线。5.如申请专利范围第1项所述之极性反置IrED之功率发射效能提升元件,其中该第一磊晶层与第二磊晶层形成一发光区。6.如申请专利范围第5项所述之极性反置IrED之功率发射效能提升元件,其中该IrED之功率发射效能提升元件,可为同质结构(Homo structure),或单异质结构(Single hetero structure)。7.如申请专利范围第1项所述之极性反置IrED之功率发射效能提升元件,其中该与发光路径成正交的凹下曲面系为半球形。8.如申请专利范围第7项所述之极性反置IrED之功率发射效能提升元件,其中该与发光路径成正交的凹下曲面系采微影蚀刻技术作成。9.如申请专利范围第1项所述之极性反置IrED之功率发射效能提升元件,其中该SOG被均匀的涂布在凹下曲面表层形成一弧面,该弧面使射出光免去临界角限制效应。10.如申请专利范围第1项所述之极性反置IrED之功率发射效能提升元件,其中该基板是砷化镓半导体。11.一种极性反置红外线发光二极体(IrED)之功率发射效能提升元件之制造方法,系于一半导体基板上执行下列步骤;在该基板上形成一第一磊晶层;形成一第二磊晶层于该第一磊晶层上;制作一第一电极于该基板底面;制作一第二电极于该第二磊晶层顶面;将该IrED之功率发射效能提升元件反置使该基板底层朝上;利用微影蚀刻技术于该基板之表面形成一与发光路径成正交的凹下曲面;并涂上SOG于该凹下曲面表层。12.如申请专利范围第11项所述之极性反置IrED之功率发射效能提升元件之制造方法,其中该第一磊晶层系为N型半导体层,该第一电极系连接于电路之负极。13.如申请专利范围第11项所述之极性反置IrED之功率发射效能提升元件之制造方法,其中该第二磊晶层系为P型半导体层,该第二电极系连接于电路之正极。14.如申请专利范围第11项所述之极性反置IrED之功率发射效能提升元件之制造方法,其中该IrED之第一电极或第二电极系复数个欧姆接触之金属电极组成,且该金属电极可以为点状,包括圆形、方形、或任何期望的形状,其点状间更可以包含连线。15.如申请专利范围第11项所述之极性反置IrED之功率发射效能提升元件之制造方法,其中该第一磊晶层与第二磊晶层形成一发光区。16.如申请专利范围第15项所述之极性反置IrED之功率发射效能提升元件之制造方法,其中该IrED之功率发射效能提升元件,系作成同质结构(Homostructure),或单异质结构(SingleHeterostructure)。17.如申请专利范围第11项所述之极性反置IrED之功率发射效能提升元件之制造方法,其中该与发光路径成正交的凹下曲面系为半球形。18.如申请专利范围第17项所述之极性反置IrED之功率发射效能提升元件之制造方法,其中该与发光路径成正交的凹下曲面系采微影蚀刻技术作成。19.如申请专利范围第11项所述之极性反置IrED之功率发射效能提升元件之制造方法,其中,将该SOG均匀地涂布在凹下曲面表层且形成一弧面,该弧面使射出光免去临界角限制效应。图式简单说明:图1系显示习知的IrED之剖面图。图2A系显示依据本发明第一实施例之IrED元件20的顶视图。图2B系显示依据本发明第一实施例之IrED元件20之剖面图。图2C系显示依据本发明第一实施例之IrED元件20的底视图。 |
