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发明名称 FORMATION OF SILICIDED SHALLOW JUNCTIONS USING IMPLANT THROUGH METAL TECHNOLOGY AND LASER ANNEALING PROCESS
摘要
申请公布号 SG98447(A1) 申请公布日期 2003.09.19
申请号 SG20010004017 申请日期 2001.07.02
申请人 CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, LTD 发明人 YUNG FU CHONG;KIN LEONG PEY;ALEX SEE
分类号 H01L21/265;H01L21/268;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336;(IPC1-7):H01L 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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