发明名称 双电压三态缓冲器电路及三态位准移位器单元
摘要 一种双电压三态缓冲器电路,包括三态逻辑控制单元、位准移位器、以及后置驱动器电路。三态逻辑控制单元操作在低供应电压。位准移位器接收来自三态逻辑控制单元之一或复数输入信号,且与输出控制电路一起操作,用以控制位准移位器之两差动输出端。后置驱动器电路具有串联之PMOS电晶体及NMOS电晶体,且由位准移位器之两该差动输出端所驱动。其中,位准移位器、输出控制电路、以及后置驱动器电路操作在高供应电压。当三态逻辑控制单元产生复数输入信号以使后置驱动器电路处于高阻抗状态时,输出控制电路与位准移位器一起操作来关闭PMOS及NMOS电晶体,以使位准移位器隔离于高供应电压。
申请公布号 TW200631319 申请公布日期 2006.09.01
申请号 TW095105588 申请日期 2006.02.20
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陈国基;陈克明
分类号 H03K19/094 主分类号 H03K19/094
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号