| 摘要 |
<p>Die Erfindung beschreibt einen integrierten Gassensor mit einem Halbleiterkörper, auf welchem eine von Elektroden (5) kontaktierte gassensitive Widerstandsschicht (4) angeordnet ist, unter welcher von einer Isolierschicht (3) getrennt mindestens eine Feldelektrode (2; 6) sitzt. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierschicht (3) eine Dicke aufweist, die mindestens annähernd kleiner gleich etwa dem 10-fachen der zu dieser Isolierschicht (3) entprechenden Debye-Länge LD mit Formel I ist, wobei T Temperatur &epsiv; Materialabhängige Dielelektrizitätszahl &epsiv;o Dielelektrizitätskonstante k Bolzmannkonstante N Ladungsträgerkonzentration q Elementarladung bedeuten.</p> |
