光调制器

摘要

本发明的课题在于提供一种光调制器，该光调制器可在不使消光特性变差的情况下，仅仅使线性调频脉冲减小。在阱层(10)和n侧的阻挡层(12)之间插入中间层(11)，对阱层(10)，施加张拉变形，在阻挡层(12)的带间隙Eb(eV)，阱层(10)的带间隙Ew(eV)，中间层11的带间隙Em(eV)之间，可保持Ew＜Em＜Eb的关系。还可形成下述张拉变形量子阱结构，其具有在具有这3种层的张拉变形的量子阱结构上，添加另一层的4种层。该另一层的带间隙为阱层(10)与中间层(11)之间的带间隙，或中间层(11)与阻挡层(12)之间的带间隙。在每1个周期的量子阱(8a)中，层数为任何数量。

主权项

1.一种光调制器，该光调制器在p型半导体和n型半导体之间，具有多重量子阱的吸收层，其特征在于该多重量子阱的1个周期的结构具有：阻挡层，该阻挡层具有第1带间隙；阱层，该阱层与上述阻挡层连接，并且在比上述阻挡层更靠近n型半导体一侧，具有小于第1带间隙的第2带间隙；中间层，该中间层与上述阱层连接，并且在比上述阻挡层更靠近n型半导体一侧，具有大于第2带间隙，且小于第1带间隙的第3带间隙；对上述阱层，施加张拉变形。