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发明名称
半导体晶圆乾式蚀刻用电极
摘要
本发明所揭示者为一半导体晶圆之乾式蚀刻用电极。该电极系一成对出现之电极组,包括有一第一电极与一第二电极,其中该第一电极含有一第一扁平部及一大小相当于一半导体晶圆之周缘一表面之环状第一凸缘,而该第二电极则含有一第二扁平部及一大小相当于该半导体晶圆之周缘另一表面之环状第二凸缘,又,该第一扁平部与第二扁平部大小相当,且该第一凸缘与第二凸缘大小也相当。
申请公布号
TW200304183
申请公布日期
2003.09.16
申请号
TW092104346
申请日期
2003.03.03
申请人
希科学公司
发明人
姜孝相;金永烈
分类号
H01L21/3065
主分类号
H01L21/3065
代理机构
代理人
黄志扬
主权项
地址
韩国
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