| 摘要 |
<p>L'invention porte sur un procédé d'assemblage de paquets à semi-conducteurs (10) consistant à former des paires correspondantes de plaquettes semi-conductrices (14, 16, 20, 22) sur des surfaces respectives d'une matrice (12) et un substrat d'interconnexion (18). Chaque plaquette de chaque paire comprend une portion supérieure comportant au moins un composant d'un alliage eutectique électro-conducteur. Des pics verticaux et tranchants (50, 58) sont formés sur au moins une des plaquettes de chaque paire. La matrice et le substrat sont calés par contrainte et les plaquettes sont chauffées jusqu'à ce que les pics tranchants pénètrent les films d'oxyde (52) sur les plaquettes opposées respectives de chaque paire et viennent en contact avec la surface supérieure de l'autre plaquette, ce qui permet de démarrer la fusion de plaquette. Ces plaquettes sont ensuite refroidies afin de solidifier les parties fondues dans un joint électro-conducteur entre chaque paire correspondante de plaquettes et un joint hermétique autour de la périphérie du paquet.</p> |
