| 主权项 |
1.一种半导体装置,具有空乏N通道电晶体,其特征在于:该空乏N通道电晶体具有:汲极区域,形成圆形;闸极区域,配置成包围该汲极区域;以及源极区域,在该闸极区域之外侧配置成包围该汲极区域;该源极区域和元件分离用氧化膜分开既定之距离。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,在源极区域之外侧形成P+扩散层,利用该P+扩散层使得该源极区域和元件分离用氧化膜只分开既定之距离。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,在P+扩散层和源极区域共同的形成接触孔。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,闸极区域之外周系圆形。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中,将闸极区域和汲极区域配置成同心圆形。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,汲极区域具有间隔既定之间隔形成圆形之第一及第二汲极区域部。7.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中,在第一及第二汲极区域部之间形成到达闸极区域之接触孔。8.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中,闸极区域之外周形成矩形。9.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中,闸极区域之外周系第一圆弧部和第二圆弧部接合之8字形,在第一圆弧部之内侧配置第一汲极区域部,在该第二圆弧部之内侧配置第二汲极区域部。10.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中,第一和第二圆弧部及第一和第二汲极区域部各自配置成同心圆形。11.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中,形成P+扩散层,替代第二汲极区域部。12.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,汲极区域具有间隔既定之间隔形成圆形之第一~第M(M为3以上之整数)汲极区域部。图式简单说明:图1系局部剖开本发明之实施形态1之半导体装置之一例表示之平面图。图2系图1之A-A'线剖面图。图3(a)至图3(b)系表示本发明之实施形态1之半导体装置之别例之图。图4系用以说明依据闸极区域和汲极区域之形状及位置关系发生之电场之图。图5系用以说明在将闸极区域和汲极区域设为圆形时之电场之图。图6(a)至图6(b)系表示本发明之实施形态2之半导体装置之图。图7(a)至图7(b)系表示本发明之实施形态3之半导体装置之图。图8(a)至图8(f)系用以说明在半导体装置之电流比之图。图9系局部剖开本发明之实施形态4之半导体装置表示之平面图。图10系局部剖开以往之半导体装置表示之平面图。图11系图10之A-A'线剖面图。图12系局部剖开以往之半导体装置表示之立体图。 |
