| 主权项 |
1.一种横向双极电晶体,系具备:覆盖于电性绝缘体材料之半导体;以及覆盖于该半导体层之中央部之绝缘层,其中该绝缘层中有接触孔,而其中有导电材料覆盖该绝缘层上,并经由该接触孔而与该半导体层电接触,由此而形成基极接触层;该半导体层具有于实质上位于该导电材料下面之中央领域之第1导电性型,并具有邻接于中央领域之领域之第2导电性型,其中该第1领域形成基极领域而该等邻接领域分别形成集极领域及射极领域;其中该基极领域具有由该集极领域与该射极领域间之距离界定之长度或厚度,及延伸于该基极领域长度之实质垂直方向之宽度,以及其中基极之接触层延伸于基极领域之实质整个宽度,由此使该横向双极电晶体之基极电阻为最小者。2.如申请专利范围第1项之横向双极电晶体,其中,该集极领域及射极领域系自行对准于该基极接触层者。3.如申请专利范围第1项之横向双极电晶体,其中,该第1导电型为n型半导体材料,而该第2导电型为p型半导体材料者。4.如申请专利范围第1项之横向双极电晶体,其中,该第1导电型为p型半导体材料,而该第2导电型为n型半导体材料者。5.如申请专利范围第1项之横向双极电晶体,其中,该绝缘层为相当于MOS型电晶体装置之闸极氧化层者。6.如申请专利范围第1项之横向双极电晶体,其中,该电性绝缘材料,系包含埋入型二氧化矽膜者。7.如申请专利范围第1项之横向双极电晶体,其中,该导电材料系,包含掺杂多晶矽材料或金属者。8.一种横向双极电晶体,系具备:半导体基片;覆盖于该半导体基片之绝缘层;覆盖于该绝缘层之半导体层;覆盖于该半导体层之绝缘领域,而该绝缘领域将该半导体层分为第1领域及第2领域,在其间形成中间领域,其中该中间领域实质上在该绝缘层下方,其中,贯通该绝缘层上端部分至底端部分,形成接触孔而使其下方之半导体层之一部分曝露,以及导体层覆盖于该绝缘领域,并经由该接触孔而与该半导体层之该中间领域电接触;其中该中间领域系具第1导电性型相当于该横向双极电晶体之基极领域,该第1领域具第2导电性型相当于集极领域,同时该第2领域具第2导电性型相当于射极领域;以及其中该基极领域具有由该集极领域与该射极领域间之距离界定之长度或厚度,以及延伸于该基极领域长度之实质垂直方向的宽度,而其中该导电层延伸于基极领域之实质上整个宽度,由此使该横向双极电晶体之基极电阻为最小者。9.如申请专利范围第8项之横向双极电晶体,其中,该集极领域及射极领域系自行对准于该导电层,而该导电层作为基极接触层者。10.如申请专利范围第8项之横向双极电晶体,其中,该第1导电型为n型半导体材料,而该第2导电型为p型半导体材料者。11.如申请专利范围第8项之横向双极电晶体,其中,该第1导电型为p型半导体材料,而该第2导电型为n型半导体材料者。12.一种形成横向双极电晶体装置的方法,系具有:在绝缘材料上形成半导体层;在该半导体材料上形成绝缘层;于该绝缘层中形成基极接触孔;在该绝缘层之一部分上形成导电性基极接触领域,其中由该基极接触领域覆盖该基极接触孔,而与该半导体层之中间部分形成电性连接,且该中间部分相当于该基极领域,包含下列步骤;形成覆盖于该绝缘层之导电层,以及将该导电层图案化而形成导电性基极领域;以及形成集极领域及射极领域于该基极领域相对两侧,以使该集极领域及该射极领域分别地邻接于该基极领域,包含了施行离子植入之步骤,其中以掺杂质渗透于上面无导电性基极领域之绝缘层以到达半导体层,且其中该集极领域及该射极领域系自行对准于个别之该导电性基极领域,其中该基极领域具有由该集极领域与该射极领域间之距离界定之长度或厚度,及延伸于与该基极领域长度方向实质垂直之宽度,而其中该导电性基极领域系实质上延伸于基极领域之全宽度。13.如申请专利范围第12项之形成横向双极电晶体装置的方法,其中,形成该基极接触孔系包括:蚀刻该绝缘层一部分的步骤者。14.如申请专利范围第13项之形成横向双极电晶体装置的方法,系包含:修饰基极接触孔侧壁面,再于随后之步骤中,将侧壁面由垂直面转变为大致倾斜面,以改善基极接触孔之梯级覆盖者。图式简单说明:第1图(a)为习用双极电晶体装置之简易剖面图。第1图(b)为表示第1图(a)中习用双极电晶体装置之示意图。第2图为表示习用难以配合双极电极体增益,控制其基极厚度的纵型双极电晶体装置之部分剖面图。第3图(a)为表示基极电阻及基极电容与npn型双极电晶体之连接,而由基极电阻影响双极电晶体装置性能之习用部分说明图。第3图(b)为表示基极电阻及基极电容与pnp型双极电晶体之连接,而由基极电阻影响双极电晶体装置性能之习用部分说明图。第4图为表示典型MOS电晶体构造与其连接的实质电容之部分剖面图。第5图为表示典型MOSSOI电晶体构造之部分剖面图。第6图为表示本体领域被容许浮动时,能打开典型MOSSOI电晶体构造中之寄生横向双极电晶体的部分剖面图。第7图为表示本发明横向双极电晶体构造的部分剖面图。第8图(a)为表示本发明pnp型横向双极电晶体构造的部分剖面图。第8图(b)为表示本发明npn型横向双极电晶体构造的部分剖面图。第9图为表示本发明横向双极电晶体之基极接触延伸于双极电晶体全宽度,以降低基极电阻之部分透视图。第10图为表示形成本发明横向双极电晶体之流程图。第11图(a)为表示本发明实施形态的横向双极电晶体形成步骤之部分剖面图(1)。第11图(b)为表示本发明实施形态的横向双极电晶体形成步骤之部分剖面图(2)。第11图(c)为表示本发明实施形态的横向双极电晶体形成步骤之部分剖面图(3)。第11图(d)为表示本发明实施形态的横向双极电晶体形成步骤之部分剖面图(4)。 |
