| 主权项 |
1.一种晶片型电阻器,包括:绝缘基板;电阻层,形成于该基板上;各电极,堆叠于该电阻层上;以及保护盖,与除该电极部份外之该电阻层相重叠;其中该电阻层是由钽金属制成。2.如申请专利范围第1项之晶片型电阻器,其中该电极是由镍铜合金制成。3.如申请专利范围第1项之晶片型电阻器,其中保护盖是由光敏材料制成。4.如申请专利范围第3项之晶片型电阻器,其中光敏材料包括人造合成树脂。5.如申请专利范围第1项之晶片型电阻器,进一步包括连接至该等电极以及导致从该保护盖突出之终端凸块。6.如申请专利范围第1项之晶片型电阻器,其中电阻层包括至少第一部份及电阻値大于第一部份的第二部份。7.如申请专利范围第6项之晶片型电阻器,其中第一部份形成具有用来调整电阻之修整沟槽。8.如申请专利范围第6项之晶片型电阻器,其中第二部份具有波浪形之架构。9.一种制作晶片型电阻器之方法,包括下列各步骤:制备一个绝缘性之主基板;在该主基板上形成电阻层;在该电阻层上形成导电金属层;将该金属层以微影(photolithography)处理以形成电极;将该电阻层以微影处理;形成保护层以覆盖除该电极部份外之该电阻层;以及将主基板分成小区块;其中制备之主基板具有一般圆形架构。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该主基板是从选自氧化铝陶土材料以及氮化铝之群组所制成的。11.如申请专利范围第9项之方法,进一步包括在形成电阻层之前从主基板移去玻璃物质之步骤。12.如申请专利范围第9项之方法,进一步包括在保护层内形成穿透孔以暴露金属层之步骤,以及在每一个穿透孔处提供一个连接元件之步骤。13.如申请专利范围第12项之方法,进一步包括加热导电涂料以形成连接元件之步骤。14.如申请专利范围第12项之方法,其中连接元件包括导电凸块。15.如申请专利范围第9项之方法,其中处理金属层之步骤包括藉由旋转涂层形成之光敏抗蚀层。16.如申请专利范围第15项之方法,进一步包括供应材料液体以形成至旋转之主基板之抗蚀层的步骤。17.如申请专利范围第9项之方法,其中该主基板第一次沿着第一切线切开以分成多个延长的区块,然后沿着与该第一切线横截之第二切线切开。18.如申请专利范围第17项之方法,进一步包括在该主基板沿着该第一切线切开后形成连接至金属层之终端电极之步骤。19.如申请专利范围第18项之方法,其中每一个终端电极从相对应其中一个延伸区块之上表面延伸至该相对应其中一个延伸区块之下表面上。图式简单说明:第1图是具体呈现出本发明晶片型电阻器之切面侧图;第2图是呈现出上述晶片型电阻器之电阻层样式的底视图;第3图是呈现出利用主基板制作第1图之晶片型电阻器的透视图;第4图是呈现出在其上形成电阻层之主基板的切面图;第5图是呈现出主基板于电阻层上形成额外层的切面图;第6图是呈现出主基板于两个支撑层上形成光感抗蚀层的切面图;第7图显示出光感抗蚀层是如何在主基板上形成;第8图是呈现出具有置于光感层之光罩之主基板的切面图;第9图是呈现出移开部分的光感层的切面图;第10至11图是呈现出在电阻层上形成之电极之排列方式;第12至14图显示出电阻层是如何提供事先决定之电阻图样;第15至19图是呈现如何在主基板上形成保护层;第20至21图是呈现出终端凸块是如何在所提供保护层内之穿透孔处形成;第22图是呈现出主基板如何分成小部分的切面侧图;第23至25图呈现出藉由穿透孔所提供制作之保护层的一种不同方法;第26图是呈现出在保护层之穿透孔处所形成之终端凸块的切面侧图;以及第27-31图显示本发明具体制作一个晶片型电阻器的一种不同方法。 |
