| 主权项 |
1.一种凸块制程,包括:提供一基材,该基材上具有复数个焊垫;形成一球底金属层于该基材上,该球底金属层包括一铬金属层以及至少一导体层,其中该导体层配置于该铬金属层上;移除该些焊垫上方以外之该导体层;形成复数个凸块于该些焊垫上方之该导体层上;以及以一蚀刻剂蚀刻该些凸块以外之该铬金属层,该蚀刻剂系为一甲基磺酸溶液。2.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该甲基磺酸溶液之浓度介于5%至70%之间。3.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该球底金属层包括铬/镍-钒合金/铜、铬/铬-铜合金、铬/铬-铜合金/铜、铬/铜/金/锡、铬/镍/金其中之一。4.如甲请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该些凸块的形成方法包括:形成一光阻于该球底金属层上,该光阻具有复数个开口,其中该些开口系对应于该些焊垫;将一焊料填入该些开口中;以及剥除该光阻。5.如申请专利范围第4项所述之凸块制程,其中该焊料填入该些开口的方式包括电镀。6.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该些凸块包括锡铅凸块。7.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该甲基磺酸溶液对该铬金属层进行蚀刻的同时,该甲基磺酸溶液会将该些凸块表面溶解,以使得该些凸块具有一新表面。8.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该些凸块以外之该铬金属层被蚀刻之后,更包括进行一回焊以将该些凸块球化。9.一种球底金属层的蚀刻方法,适于剥除一球底金属层,该球底金属层包括一铬金属层以及至少一配置于该铬金属层上之导体层,该蚀刻方法包括:移除该些焊垫上方以外之该导体层;以及以一蚀刻剂蚀刻该铬金属层,该蚀刻剂系为一甲基磺酸溶液。10.如申请专利范围第9项所述之球底金属层的蚀刻方法,其中该甲基磺酸溶液之浓度介于5%至70%之间。11.如申请专利范围第9项所述之球底金属层的蚀刻方法,其中该球底金属层包括铬/镍-钒合金/铜、铬/铬-铜合金、铬/铬-铜合金/铜、铬/铜/金/锡、铬/镍/金其中之一。图式简单说明:第1A图绘示为习知凸块制程的方块流程图;第1B图绘示为习知另一种凸块制程的方块流程图;第2图至第11图绘示为依照本发明第一实施例凸块制程的流程剖面示意图;以及第12图至第17图绘示为依照本发明第二实施例凸块制程的流程剖面示意图。 |
