| 发明名称 | 电子发射元件、电子源和图像形成装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 其特征在于：具有：在基体上配置一对电极的步骤；配置包含吸光材料的高分子膜，使其连接所述电极之间的步骤；通过向所述包含吸光材料的高分子膜照射光，使该高分子膜低电阻化的步骤；通过使电流流过通过使所述高分子膜低电阻化而得到的膜，在该膜上形成间隙的步骤。提供能简单步骤，并且能进行电子发射特性的改善的电子发射元件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1441451A | 申请公布日期 | 2003.09.10 |
| 申请号 | CN03106480.9 | 申请日期 | 2003.02.27 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 荒井由高;水野祐信;岩城孝志;糠信恒树;竹上毅 |
| 分类号 | H01J9/02 | 主分类号 | H01J9/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.电子发射元件的制造方法，具有以下步骤：(A)提供在其上配置了一对电极和连接所述一对电极的高分子膜的基体，其中，所述高分子膜包含高分子和具有吸光特性的物质；(B)对所述高分子膜照射光，使该高分子膜低电阻化；(C)在使所述高分子膜低电阻化而得到的膜上形成间隙。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||