氮化物半导体基板及制法和使用该基板的氮化物半导体装置

摘要

一种氮化物半导体基板，包括：(a)支承基板，(b)具有周期性T字形横剖面的第一氮化物半导体层，其系于支承基板上自周期性设置的条纹状、格栅状或岛状部分成长，及(c)覆盖该支承基板的第二氮化物半导体基板，其系自该第一氮化物半导体层的上表面及侧面成长，其中在第二氮化物半导体层的下方形成空穴。将具有周期性设置的条纹状、格栅状或岛状孔隙的保护层形成于支承基板上。第一氮化物半导体层自基板的暴露部分横向成长。在第一氮化物半导体层覆盖支承基板之前停止成长。因此，第一氮化物半导体层具有周期性的T字形横剖面。然后将保护层移除，及使第二氮化物半导体层自第一氮化物半导体层的上表面及侧面成长，以覆盖基板。

主权项

1.一种氮化物半导体基板，包括：一支承基板；一具有周期性设置的T字形横剖面的第一氮化物半导体层，其系通过在以设置于该支承基板的表面上的周期性条纹、格栅或岛形态形成的部分开始横向成长氮化物半导体薄膜，及在薄膜接合在一起之前停止横向成长而形成；及一第二氮化物半导体层，其系自作为核心的该第一氮化物半导体层的上表面或上表面及侧面横向成长，并覆盖该支承基板的整个表面，其中在所述第二氮化物半导体层的接面下方形成空穴。