| 发明名称 | 热电元件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有一个或多个掺杂半导体的至少一个n层(1)和至少一个p层(2)的热电元件，其中n层(1)和p层(2)构成至少一个pn结(3)，至少一个n层(1)和至少一个p层(2)在电气上有选择性地被接触，并且一个温度梯度(T<SUB>1</SUB>，T<SUB>2</SUB>)平行于至少一个n层和p层(1，2)之间的边界层(3)(沿x方向)被设置或引入，同时，至少一个pn结基本上沿着n层(1)和p层(2)的整个延伸部分，最好是最长的延伸部分，并从而基本上沿着其整个边界层(3)形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1441972A | 申请公布日期 | 2003.09.10 |
| 申请号 | CN01808918.6 | 申请日期 | 2001.04.25 |
| 申请人 | 格哈德·斯番 | 发明人 | 格哈德·斯番 |
| 分类号 | H01L35/08;H01L35/32;H01L35/26 | 主分类号 | H01L35/08 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李勇 |
| 主权项 | 1.具有一个或多个掺杂半导体的至少一个n层和至少一个p层的热电元件，其中n层和p层构成至少一个pn结，其中至少一个n层和至少一个p层有选择性地进行电接触，并且一个温度梯度与至少一个n和p层之间的边界层平行地(沿x方向)被设置或引入，其特征在于，至少一个pn结基本上沿着n层(1)和p层(2)的整个延伸部分，优选地沿着最长的延伸延伸部分，并从而基本上沿着其整个边界层(3)形成。 | ||
| 地址 | 奥地利瓦滕斯 | ||