一种肖特基二极管的原型器件及其制备方法

摘要

本发明的肖特基二极管原型器件是在衬底上自下而上依次沉积欧姆接触电极层、n－ZnO膜外延层、Si₃N₄层和肖特基金属电极层而构成。其制备方法依次包括清洗衬底；真空镀欧姆接触电极；磁控溅射生长n－ZnO外延膜层；等离子淀积Si₃N₄(4)，一次光刻；蒸发肖特基金属电极，二次光刻。用本发明的原型器件制作的肖特基二极管，其反向特性较传统结构有明显提高，同时具有正向压降小，反向漏电流小，反向击穿电压大，高温稳定性好等优点。适合在高温、强辐射环境下工作，可广泛应用于微波混频，检波及高速开关电路等领域。

主权项

1.一种肖特基二极管的原型器件，其特征在于它是在衬底(1)上自下而上依次沉积欧姆接触电极层(2)、n-ZnO膜外延层(3)、Si3N4层(4)和肖特基金属电极层(5)而构成。