| 主权项 |
1.一种不具防焊膜之积体电路构装结构,其中该结构包含:一基板;多数个金属层,位于部分之该基板上用以作为该基板上之一导电电路;多数个具焊接沾附性(Solder Wettability)之第一焊接垫,位于部分该金属层上以形成多数个焊接界面;一不具焊接沾附性之绝缘层,形成于该金属层之一表面与一侧表面;及其中,上述之金属层与焊接界面之间不具有防焊膜。2.如申请专利范围第1项之不具防焊膜之积体电路构装结构,其中上述之金属层的材质为铜。3.如申请专利范围第1项之不具防焊膜之积体电路构装结构,其中上述之第一焊接垫采用一电气/化学电镀的方法形成。4.如申请专利范围第1项之不具防焊膜之积体电路构装结构,其中上述之第一焊接垫采用一物理/化学沉积的方法形成。5.如申请专利范围第1项之不具防焊膜之积体电路构装结构,其中上述之构装积体电路包含一晶片。6.如申请专利范围第5项之不具防焊膜之积体电路构装结构,更包含多数个第二焊接垫藉以将上述之晶片与多数个焊接凸块相互连结。7.如申请专利范围第6项之不具防焊膜之积体电路构装结构,其中上述之任一焊接凸块均对应至任一该第二焊接垫。8.如申请专利范围第6项之不具防焊膜之积体电路构装结构,其中上述之多数个焊接凸块与该多数个第一焊接垫相互连接而将该晶片固定于该基板上。9.如申请专利范围第8项之不具防焊膜之积体电路构装结构,其中上述之任一焊接凸块均对应至任一该第一焊接垫。10.如申请专利范围第1项之不具防焊膜之积体电路构装结构,其中上述之不具焊接沾附性绝缘层可为一金属氧化层。11.如申请专利范围第5项之不具防焊膜之积体电路构装结构,其中上述之晶片及该基板与该晶片的接合处系采用灌胶模混合物(Molding Compound)构装方式固定。12.如申请专利范围第5项之不具防焊膜之积体电路构装结构,其中上述之晶片及该基板与该晶片的接合处系采用覆晶填充(Underfill)构装方式固定。13.一种形成不具防焊膜之构装积体电路的方法,其中该方法包含:提供一基板;形成一金属层于该基板上;形成一第一光阻层于部分之该金属层上,并在该第一光阻层内形成多数个开口;形成多数个具焊接沾附性(Solder Wettability)的第一焊接垫,其中任一该第一焊接垫位于任一该开口之底部并在该金属层上;移除该第一光阻层;形成一第二光阻层于部分之该金属层上;以该第二光阻层及该第一焊接垫为遮罩移除部分之该金属层并移除该第二光阻层以在该基板上形成多数个导电线路与多数个焊接界面,其中任一导电线路电路均为该金属层且任一焊接界面均由该金属层与其上之该第一焊接垫所组成;及形成一不具焊接沾附性之绝缘层于该金属层之一表面及一侧表面。14.如申请专利范围第13项之形成不具防焊膜之构装积体电路的方法,其中上述之金属层的材质为铜。15.如申请专利范围第13项之形成不具防焊膜之构装积体电路的方法,其中上述之第一焊接垫采用一电气/化学电镀的方法形成。16.如申请专利范围第13项之形成不具防焊膜之构装积体电路的方法,其中上述之第一焊接垫采用一物理/化学沉积的方法形成。17.如申请专利范围第13项之形成不具防焊膜之构装积体电路的方法,其中上述之构装积体电路包含一晶片。18.如申请专利范围第17项之形成不具防焊膜之构装积体电路的方法,更包含多数个第二焊接垫藉以将上述晶片与多数个焊接凸块相互连结。19.如申请专利范围第18项之形成不具防焊膜之构装积体电路的方法,其中上述之任一焊接凸块均对应至任一该第二焊接垫。20.如申请专利范围第18项之形成不具防焊膜之构装积体电路的方法,其中上述之多数个焊接凸块与该多数个第一焊接垫相互连接而将该晶片固定于该基板上。21.如申请专利范围第20项之形成不具防焊膜之构装积体电路的方法,其中上述之任一焊接凸块均对应至任一该第一焊接垫。22.如申请专利范围第13项之形成不具防焊膜之构装积体电路的方法,其中上述之不具焊接沾附性绝缘层可为一金属氧化层。23.如申请专利范围第17项之形成不具防焊膜之构装积体电路的方法,其中上述之晶片及该基板与该晶片的接合处系采用灌胶模混合物(Molding Compound)构装方式固定。24.如申请专利范围第17项之形成不具防焊膜之构装积体电路的方法,其中上述之晶片及该基板与该晶片的接合处系采用覆晶填充(Underfill)构装方式固定。25.如申请专利范围第13项之形成不具防焊膜之构装积体电路的方法,其中上述之基板之一底部可藉由多数个焊球垫连结多数个焊球。图式简单说明:第一图为传统使用防焊膜将晶片固定于基板上之示意图;第二图为在基板上形成金属层之示意图;第三图为在部分金属层上形成第一光阻层之示意图;第四图为在任一渠沟之底部形成一第一焊接垫于金属层上之示意图;第五图为移除第一光阻层并在部分之金属层上形成第一焊接垫之示意图;第六图为在部分之金属层上形成一第二光阻层之示意图;第七图为移除部分之金属层之示意图;第八图为移除第二光阻层以在基板上形成多数个金属层与多数个焊接界面之示意图;第九图为在金属层之表面上形成一绝缘层之示意图;第十图为晶片连接至基板上之示意图;及第十一图为在晶片与基板上形成构装模具并在基板底部连结多数个第二焊接凸块之示意图。 |
