| 主权项 |
1.一种用于制造半导体元件的方法,其系包括以下步骤:构成一防护图案,其形状可覆盖一半导体基板上的预定区域,并使与位在其一端部之部分连接的一空气桥接装置暴露出;构成一传导性薄膜,覆盖该防护图案;构成一绝缘薄膜,覆盖该传导性薄膜;加工该绝缘薄膜以及传导性薄膜,以构成空气桥接线路,该线路系依该防护图案之形状,并构成一覆盖该空气桥接线路之空气桥接防护薄膜;以及移除该防护图案,以在该空气桥接线路与该预定的区域间构成一中空部分。2.如申请专利范围第1项之制造半导体元件的方法,其中位于该半导体基板上的该预定区域系一具有复数线路的电路区域,且该空气桥接连接部分为该电路区域中的一对线路。3.如申请专利范围第2项之制造半导体元件的方法,其中该电路区域包括一伸出形状的电极。4.如申请专利范围第1项之制造半导体元件的方法,其更包括以下的步骤:构成一较该空气桥接防护薄膜为薄的表面防护薄膜,在构成该防护图案之前覆盖该预定的区域。5.如申请专利范围第1项之制造半导体元件的方法,其中该预定的区域以及该空气桥接连接部分大体上系构成在相同的平面上。6.一种用于制造半导体元件的方法,其系包括以下的步骤:构成一防护图案,其形状可覆盖一半导体基板上的一预定区域,并使与位在其一端部之部分连接的一空气桥接装置暴露出;构成一传导性薄膜,覆盖该防护图案;加工传导性薄膜,以构成空气桥接线路,并与依防护图案之形状的部分连接;构成一绝缘薄膜,覆盖该传导性薄膜;加工该绝缘薄膜,用以构成具有一预定形状的空气桥接防护薄膜以覆盖该空气桥接线路;以及移除该防护图案,用以在该空气桥接线路与该预定的区域间构成一中空部分。7.如申请专利范围第6项之制造半导体元件的方法,其位于该半导体基板上的该预定区域系一具有复数之线路的电路区域,且该空气桥接连接部分为在该电路区域中的一对线路。8.如申请专利范围第7项之制造半导体元件的方法,其中该电路区域包括一呈伸出形状的电极。9.如申请专利范围第6项之制造半导体元件的方法,其进一步包括以下的步骤:构成一较该空气桥接防护薄膜为薄的表面防护薄膜,并在构成该防护图案之前覆盖该预定的区域。10.如申请专利范围第6项之制造半导体元件的方法,其中该预定的区域以及该空气桥接连接部分大体上系构成在相同的平面上。11.一种半导体元件,其具有复数线路的电路区域系构成在一半导体基板上;其在该电路区域中配置一空气桥接装置,以在线路间与预定的线路作电气连接,并构成一覆盖该空气桥接装置之空气桥接防护薄膜,且该电路区域中至少该空气桥接防之较低部位系一未形成覆盖有该空气桥接防护膜之区域。12.如申请专利范围第11项之半导体元件,其中该空气桥接线路系连接大体上系构成在与其相同的平面上的该线路。13.如申请专利范围第11项之半导体元件,其中该电路区域包括一伸出形状的电极。14.如申请专利范围第11项之半导体元件,其构成一较该空气桥接防护薄膜为薄的表面防护薄膜并覆盖该电路区域。15.一种半导体元件,其系包括:一半导体基板;一电路区域,其系配置在该半导体基板上并具有复数之线路;一空气桥接装置,其系与该电路区域内之该等线路中之预定线路作电性连接;以及一空气桥接防护薄膜,其仅覆盖该空气桥接装置。16.如申请专利范围第15项之半导体元件,其中该空气桥接线路连接至大体上系构成在与其相同的平面上的该等线路。17.如申请专利范围第15项之半导体元件,其中该电路区域包括一呈伸出形状的电极。18.如申请专利范围第15项之半导体元件,其系形成有一较该空气桥接防护薄膜为薄并覆盖该电路区域的表面防护薄膜。图式简单说明:第1A至1D图为概略的横截面视图,显示根据本发明之第一具体实施例中用于制造一金属电半导体场效应电晶体(MESFET)之方法的步骤顺序;第2A至2C图为概略的横截面视图,显示依第一具体实施例中用以制造一金属电半导体场效应电晶体(MESFET)之方法的步骤顺序,并接替第1D图;第3A至3C图系概略的横截面视图,显示依第二具体实施例中用以制造一金属电半导体场效应电晶体(MESFET)之方法的步骤顺序;第4A及4B图为概略的横截面视图,显示根据第二具体实施例中用以制造一金属电半导体场效应电晶体(MESFET)之方法的步骤顺序,并接替第3C图;第5图为概略的横截面视图,显示具有传统的空气桥接构造之金属电半导体场效应电晶体(MESFET)的一实例;以及第6图为概略的横截面视图,显示具有传统的空气桥接构造之金属电半导体场效应电晶体(MESFET)的另一实例。 |
