可遮蔽EMI之导电性高分子复合材料成型方法

摘要

本发明系一种可以阻隔电磁波干扰(Electro- Magnetic Interference，EMI)之导电性高分子复合材料的成型方法，其先以具两组射出座及螺杆之射出成型机之其中一组螺杆注入容积2～20%的低熔点金属合金进入模穴，再以另一组螺杆注入高分子复合材料(添加玻璃纤维或碳纤维等)并填满整个模穴，当高分子复合材料充填模穴时，可将金属合金熔液推向模穴表面，形成金属合金薄壳包覆在高分子复合材料的表层，金属合金的熔点以介于20～300℃间之低熔点金属合金为佳，且金属合金之选用视高分子复合材料本身之特性及熔点而定；由于此成型方法系以射出成型一次加工程序即可制作成品，不需二次加工喷涂或包覆金属外壳，所以无论是设备成本、人事成本及加工成本等，均可藉由加工程序之简化以节省支出，并提高生产效率，而且保持射出成型技术所特有生产快速的优点，并可自动化和量产化，以符合市场对产量之需求。

主权项

1.一种可遮蔽EMI之导电性高分子复合材料成型方法,其先于模具之模穴中以射出成型机注入约模穴容积2-20%的金属合金,再以高分子复合材料注入并填满整个模穴,使高分子复合材料表层包覆有一层金属合金,金属合金之厚度范围介于0.05mm-0.5mm之间,且以溶点介于20-300℃之间的低熔点金属或其合金为佳,射出成型机之压力范围系介于100kg/cm2-2500kg/cm2,而高分子复合材料以热塑性之工程塑胶为佳。2.如申请专利范围第1项所述可遮蔽EMI之导电性高分子复合材料成型方法,其中高分子复合材料可为聚醯胺(PA)及其掺合物。3.如申请专利范围第1项所述可遮蔽EMI之导电性高分子复合材料成型方法,其中高分子复合材料可为ABS塑胶(ABS)及其掺合物。4.如申请专利范围第1项所述可遮蔽EMI之导电性高分子复合材料成型方法,其中高分子复合材料可为聚碳酸酯(PC)及其掺合物。5.如申请专利范围第1项所述可遮蔽EMI之导电性高分子复合材料成型方法,其中高分子复合材料可为液晶塑胶(LCP)及其掺合物。6.如申请专利范围第1项所述可遮蔽EMI之导电性高分子复合材料成型方法,其中高分子复合材料可为聚缩醛(POM)及其掺合物。7.如申请专利范围第1项所述可遮蔽EMI之导电性高分子复合材料成型方法,其中高分子复合材料可为聚乙烯对苯二甲酸脂(PET)及其掺合物。8.如申请专利范围第1项所述可遮蔽EMI之导电性高分子复合材料成型方法,其中高分子复合材料可为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)及其掺合物。9.如申请专利范围第1项所述可遮蔽EMI之导电性高分子复合材料成型方法,其中金属合金可为锡(Sn)及其合金。10.如申请专利范围第1项所述可遮蔽EMI之导电性高分子复合材料成型方法,其中金属合金可为锌(Zn)及其合金。11.如申请专利范围第1项所述可遮蔽EMI之导电性高分子复合材料成型方法,其中金属合金可为铅(Pb)及其合金。12.如申请专利范围第1项所述可遮蔽EMI之导电性高分子复合材料成型方法,其中金属合金可为镉(Cd)及其合金。13.如申请专利范围第1项所述可遮蔽EMI之导电性高分子复合材料成型方法,其中金属合金可为铋(Bi)及其合金。14.如申请专利范围第1项所述可遮蔽EMI之导电性高分子复合材料成型方法,其中金属合金可为铟(In)及其合金。图式简单说明:第一图:系本发明第一种射出成型过程示意图。(其系以低射速射出金属合金,金属合金的流动方式类似圆形的流动波前)第二图:系本发明第二种射出成型过程示意图。(其系以高射速射出金属合金,金属合金的流动方式类似喷流的流动型态)第三图:系配合本发明成型方法所运用之第一种射出成型机的简单动作示意图。第四图:系配合本发明成型方法所运用之第二种射出成型机的简单动作示意图。