发明名称 非接触ID卡类及其制造方法
摘要 本发明是一种非接触式卡类,其构成包含有:天线电路基板,在基材上形成有天线;和插入式基板,在埋设有IC晶片之基板,形成连接到上述IC晶片之电极之扩大电极;以使上述之天线之电极和上述之扩大电极互相接合之方式积层该两个基板。
申请公布号 TW550515 申请公布日期 2003.09.01
申请号 TW090104055 申请日期 2001.02.22
申请人 东丽工程股份有限公司 发明人 秋田雅典;伊藤釭司;森俊裕;野上义生;仓本佳男
分类号 G06K19/00 主分类号 G06K19/00
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路三段三四六号一一一二室;宿希成 台北市松山区南京东路三段三四六号一一一二室
主权项 1.一种非接触ID卡类,其特征是所具有之构造包含有:天线电路基板,在基材上形成有天线;和插入式基板,在埋设有IC晶片之基材,形成连接到上述IC晶片之电极之扩大电极;以使上述之天线之电极和上述之扩大电极互相接合之方式积层该两个基板。2.如申请专利范围第1项之非接触ID卡类,其中上述之天线电极和上述之扩大电极以导电性接着材料接合。3.如申请专利范围第1项之非接触ID卡类,其中利用上述天线电路基板之基材和上述插入式基板之基材之接着,用来使上述之天线电极和上述之扩大电极直接接合。4.如申请专利范围第2或3项之非接触ID卡类,其中以密封上述天线电路基板之天线形成部和上述IC晶片之电极形成部之方式,在上述天线电路基板之基材和上述插入式基板之基材间配置绝缘性接着材料。5.如申请专利范围第4项之非接触ID卡类,其中上述之IC晶片之电极形成有下障壁金属层。6.如申请专利范围第5项之非接触ID卡类,其中上述之插入式基板之基材和上述之天线电路基板之基材由树脂膜构成。7.一种非接触ID卡类之制造方法,其特征是包含有:电极形成工程,在埋设有IC晶片之插入式基板之基材,形成与上述IC晶片之电极连接之扩大电极;和基板积层工程,以使形成在天线电路基板之基材之天线之电极和上述之扩大电极互相接合之方式,积层该两个基板。8.如申请专利范围第7项之非接触ID卡类之制造方法,其中以利用导电性接着材料接合上述之天线电极和上述之扩大电极之方式,使该两个基板进行积层。9.如申请专利范围第7项之非接触ID卡类之制造方法,其中利用上述天线电路基板之基材和上述插入式基板之基材之接着,用来使上述之天线电极和上述之扩大电极直接接合,以此方式使该两个基板进行积层。10.如申请专利范围第8或9项之非接触ID卡类之制造方法,其中经由接着材料附着工程以覆盖在上述IC晶片之电极形成部之方式,使绝缘性接着材料附着在经由上述之电极形成工程后之插入式基板,然后使该两个基板进行积层。11.如申请专利范围第10项之非接触ID卡类之制造方法,其中利用网版印刷法形成上述之扩大电极。图式简单说明:图1是正面图,用来表示本发明之非接触ID卡类之基板积层态样。图2是图1之平面图。图3是插入式基板之正面图。图4是图3之平面图。图5表示形成有IC电路之晶圆。图6表示晶圆之切片态样。图7表示用以制造插入式基板之原材料,(A)是平面图,(B)是正面图。图8表示将IC晶片插入到晶片埋入用孔之态样。图9是插入式基板之主要部份之扩大图。图10是正面图,用来表示本发明之非接触ID卡类之另一基板积层态样。图11表示插入式基板之另一实例。图12表示插入式基板之更另一实例。图13表示压搾积层之天线电路基板和插入式基板之态样。图14表示非接触ID卡类制造装置之构造。图15表示图14之Z-Z箭视图。图16表示习知之非接触ID卡类之接合态样。图17是图16之天线形成部之平面图。
地址 日本