| 主权项 |
1.一种移除底部抗反射层之方法,至少包含:提供一基材,其中该基材之表面具有一底部抗反射层与至少一开口;形成一光阻层覆盖在该基材之该至少一开口中;去除部分之该光阻层;以及进行一蚀刻制程,藉以去除该底部抗反射层。2.如申请专利范围第1项所述之移除底部抗反射层之方法,其中该基材更具有至少一介电层与至少一保护层,而该至少一介电层中具有至少一导体层。3.如申请专利范围第2项所述之移除底部抗反射层之方法,其中该至少一导体层系为一金属层。4.如申请专利范围第3项所述之移除底部抗反射层之方法,其中该金属层之材料系为铜。5.如申请专利范围第2项所述之移除底部抗反射层之方法,其中该至少一保护层之材料系为氮化矽(SiNx)。6.如申请专利范围第2项所述之移除底部抗反射层之方法,其中该至少一介电层之材料系为含氟二氧化矽(FSG)。7.如申请专利范围第1项所述之移除底部抗反射层之方法,其中该底部抗反射层之材料系选自于由非晶相碳(a-C)膜、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)和氧化钛(TiO)等所组成之一族群。8.如申请专利范围第1项所述之移除底部抗反射层之方法,其中该光阻层之材料系选自于由I线光阻与G线光阻所组成之一族群。9.如申请专利范围第1项所述之移除底部抗反射层之方法,其中该光阻层之一厚度约为20千埃(K)。10.如申请专利范围第2项所述之移除底部抗反射层之方法,其中去除部分之该光阻层系使得另一部分之该光阻层残留在该至少一开口之一底部,并覆盖于该基材之该至少一导体层上。11.如申请专利范围第1项所述之移除底部抗反射层之方法,其中该蚀刻制程系利用湿式蚀刻法。12.如申请专利范围第1项所述之移除底部抗反射层之方法,其中该蚀刻制程系利用乾式蚀刻法。13.一种移除底部抗反射层之方法,至少包含:提供一基材,其中该基材至少已具有一第一介电层,且在该第一介电层中具有一第一导体层;在该基材上依序沉积一第一保护层、一第二介电层、一第二保护层、一第三介电层、以及一底部抗反射层;进行一第一定义制程,利用已定义之一第一光阻层为罩幕,依序蚀刻部分之该底部抗反射层、一第一部分之该第三介电层、一第一部分之该第二保护层、以及一第一部分之该第二介电层,并以该第一保护层为一蚀刻终止层,藉以形成一介层窗开口,并暴露出部分之该第一保护层;进行一第二定义制程,利用已定义之一第二光阻层为罩幕,依序蚀刻一第二部分之该底部抗反射层与一第二部分之该第三介电层,且约略暴露出下方之该第二介电层,藉以定义出一沟渠;其中同时在该介层窗开口中填入部分之该第二光阻层,利用已定义之该第二光阻层为罩幕,依序蚀刻一第三部分之该底部抗反射层与一第三部分之该第三介电层,并约暴露出该第一保护层之该部分,用以形成一双重金属镶嵌开口;移除该双重金属镶嵌开口中该第一保护层之该部分;形成一第三光阻层覆盖在该基材之该底部抗反射层上并填满该双重金属镶嵌开口与该沟渠中;移除一第一部分之该第三光阻层,使得一第二部分之该第三光阻层残留在该双重金属镶嵌开口之一底部并覆盖在该第一导体层上;以及进行一蚀刻制程,藉以移除该底部抗反射层。14.如申请专利范围第13项所述之移除底部抗反射层之方法,其中该第一导体层系为一金属层。15.如申请专利范围第14项所述之移除底部抗反射层之方法,其中该金属层之材料系为铜。16.如申请专利范围第13项所述之移除底部抗反射层之方法,其中该第一保护层与该第二保护层之材料系为氮化矽(Silicon Nitride;SiNx)。17.如申请专利范围第13项所述之移除底部抗反射层之方法,其中该第二介电层与该第三介电层之材料系为含氟二氧化矽(FluorinatedSilicate Glass;FSG)。18.如申请专利范围第13项所述之移除底部抗反射层之方法,其中该底部抗反射层之材料系选自于由非晶相碳(Amorphous Carbon;a-C)膜、氮化矽(Silicon Nitride;SiNx)、氮氧化矽(Silicon Oxynitride;SiOxNy)和氧化钛(Titanium Oxide;TiO)等所组成之一族群。19.如申请专利范围第13项所述之移除底部抗反射层之方法,其中该第三光阻层之材料系选自于由I线光阻和G线光阻所组成之一族群。20.如申请专利范围第13项所述之移除底部抗反射层之方法,其中该第三光阻层之一厚度约为20千埃(Kilo-Angstrom;K)。21.如申请专利范围第13项所述之移除底部抗反射层之方法,其中进行该蚀刻制程系利用湿式蚀刻法。22.如申请专利范围第21项所述之移除底部抗反射层之方法,其中进行该蚀刻制程系利用乾式蚀刻法。23.如申请专利范围第13项所述之移除底部抗反射层之方法,其中在进行该蚀刻制程之后,更包括以一物理性撞击来清除该双重金属镶嵌开口与该沟渠中之复数个微粒。24.如申请专利范围第23项所述之移除底部抗反射层之方法,其中该物理性撞击系以氩气(Argon;Ar)离子来进行。图式简单说明:第1A图至第1D图所绘示为习知技术进行双重金属镶嵌结构时移除底部抗反射层之制造剖面图;第2A图至第2G图所绘示为本发明之一较佳实施例进行双重金属镶嵌结构时移除底部抗反射层之制程剖面图;以及第3图所绘示为本发明之一较佳实施例之光阻的摆动效应和总体效应之关系图。 |
